Re: [問題] p-n junction
嗯 ~~ 或許可以用比較白話的方式
想像一下
在兩個不同參雜的區域中
重參雜的區域 => 電子或電洞的密度會比較高
而在輕參雜的區域 => 電子或電動的密度則自然比較低
若假設 今天從重參雜的區域 , 擴散電子或者電洞, 至輕參雜的區域去
那由於電洞電子的複合,造成電子或電洞的消失,而產生離子,即形成空乏區
那回到最先前講的,由於參雜不依所以造成電洞電子密度的不同.所以可以想像
在低參雜的區域,由於其密度較低, 所以就必須花費更大的區域,與來自重參雜
區域的電子或電洞複合.
所以,在低參雜的區域,其空乏區就比較長囉.
以上,有誤請指正 3q ~~~
※ 引述《NBS (好累喔 N )》之銘言：
: ※ 引述《armoni (徵說英文的同伴)》之銘言：
: : 想請問一下p+-n junction中
: : 為何輕度參雜區的寬度比重度參雜區的寬度寬呢?
: : 如果以p+和n型的接面來說
: : p+的離子空乏區寬度會小於n的離子空乏區 why?
: : 因為直覺上 p+的電洞擴散梯度應該比n的電子擴散梯度來的強
: : 所以不是應該電洞擴散比較多嗎 相對的 留下的受體離子應該會較多
: : 而造成p+區域的離子空乏寬度變的較寬 n區域的離子空乏寬度較窄
: 數學的解釋可用Poisson's eq求得電位分佈
: 然後積分得電場分佈
: 利用邊界條件 E(x=0+) = E(x=0-) 代入
: 可得 Na Wp = Nd Wn
: 這個數學式代表熱平衡時是電中性
: 物理現象的解釋可從PN接面形成時的現象來思考
: 接面形成時
: P型區的電洞向N型區擴散 造成P型區留下帶負電的受體離子
: N型區的電子向P型區擴散 造成N型區留下帶正電的施體離子
: 此時空乏區內形成一個由正電荷指向負電荷的電場
: 這個電場將會抵抗中性區的多數載子繼續擴散
: 當電場力和擴散力達成平衡時才到達熱平衡狀態
: 但是P+N情況的電洞擴散力遠大於電子擴散力
: （兩者濃度可能差了1e+5以上）
: 因此P-type的空乏區寬度將遠小於N-type的空乏區寬度
: 因為低摻雜區的空乏區較大
: 大部分的電位都落在空乏區中（因為空乏區中的移動載子趨於零 故電阻大）
: 所以低摻雜的材料也比較能承受高電壓
: 有錯請指正
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