Re: [問題] p-n junction
※ 引述《armoni (徵說英文的同伴)》之銘言：
: 想請問一下p+-n junction中
: 為何輕度參雜區的寬度比重度參雜區的寬度寬呢?
: 如果以p+和n型的接面來說
: p+的離子空乏區寬度會小於n的離子空乏區 why?
: 因為直覺上 p+的電洞擴散梯度應該比n的電子擴散梯度來的強
: 所以不是應該電洞擴散比較多嗎 相對的 留下的受體離子應該會較多
: 而造成p+區域的離子空乏寬度變的較寬 n區域的離子空乏寬度較窄
數學的解釋可用Poisson's eq求得電位分佈
然後積分得電場分佈
利用邊界條件 E(x=0+) = E(x=0-) 代入
可得 Na Wp = Nd Wn
這個數學式代表熱平衡時是電中性
物理現象的解釋可從PN接面形成時的現象來思考
接面形成時
P型區的電洞向N型區擴散 造成P型區留下帶負電的受體離子
N型區的電子向P型區擴散 造成N型區留下帶正電的施體離子
此時空乏區內形成一個由正電荷指向負電荷的電場
這個電場將會抵抗中性區的多數載子繼續擴散
當電場力和擴散力達成平衡時才到達熱平衡狀態
但是P+N情況的電洞擴散力遠大於電子擴散力
（兩者濃度可能差了1e+5以上）
因此P-type的空乏區寬度將遠小於N-type的空乏區寬度
因為低摻雜區的空乏區較大
大部分的電位都落在空乏區中（因為空乏區中的移動載子趨於零 故電阻大）
所以低摻雜的材料也比較能承受高電壓
有錯請指正
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