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[問題] p-n junction
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[問題] p-n junction
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作者
armoni
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(2006/12/20 13:57)
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想請問一下scattering有分兩種. 一種是impurity scattering 另一種是lattice scattering. lattice scattering隨著溫度升高 其mobility會降低. 但為何impurity scattering 隨著溫度升高 其mobility會升高呢
#2
Re: [問題] p-n junction
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Rigid
(陽光下的奇蹟)
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(2006/12/20 14:53)
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應該說是溫度升高時理論上conductivity會因為scattering變大而下降. 這對於lattice或是impurity都是一樣的. 但因為impurity溫度上升時會解離出更多載子. 所以conductivity反而上升了. 變成兩種機制在彼此拉鋸. 看誰對溫度的感受變化大就由哪一種機制d
#3
Re: [問題] p-n junction
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rummel
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(2006/12/20 16:25)
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impurity scattering主要為參雜雜質的碰撞機制. 當溫度越高的時候,impurity受到的能量越大,所以速度越快. 與晶格原子的庫倫作用力變更小. 所以碰撞機率降低,故mobility上升. 通常Lattic scattering的機制會比較複雜,因為有牽涉到晶格震動產生的聲子(ph
#4
[問題] p-n junction
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armoni
(徵說英文的同伴)
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17年前
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(2007/02/02 11:25)
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想請問一下p+-n junction中. 為何輕度參雜區的寬度比重度參雜區的寬度寬呢?. 如果以p+和n型的接面來說. p+的離子空乏區寬度會小於n的離子空乏區 why?. 因為直覺上 p+的電洞擴散梯度應該比n的電子擴散梯度來的強. 所以不是應該電洞擴散比較多嗎 相對的 留下的受體離子應該會較多.
#5
Re: [問題] p-n junction
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NBS
(好累喔 N )
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17年前
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(2007/02/02 22:12)
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數學的解釋可用Poisson's eq求得電位分佈. 然後積分得電場分佈. 利用邊界條件 E(x=0+) = E(x=0-) 代入. 可得 Na Wp = Nd Wn. 這個數學式代表熱平衡時是電中性. 物理現象的解釋可從PN接面形成時的現象來思考. 接面形成時. P型區的電洞向N型區擴散 造成P型
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