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討論串[問題] p-n junction
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#6
Re: [問題] p-n junction
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者adddream (哆啦A孟)時間19年前 (2007/02/02 22:46), 編輯資訊
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嗯 ~~ 或許可以用比較白話的方式. 想像一下. 在兩個不同參雜的區域中. 重參雜的區域 => 電子或電洞的密度會比較高. 而在輕參雜的區域 => 電子或電動的密度則自然比較低. 若假設 今天從重參雜的區域 , 擴散電子或者電洞, 至輕參雜的區域去. 那由於電洞電子的複合,造成電子或電洞的消失,而產
(還有38個字)
#5
Re: [問題] p-n junction
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者NBS (好累喔 ￾N￾ ￾ ￾ )時間19年前 (2007/02/02 22:12), 編輯資訊
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數學的解釋可用Poisson's eq求得電位分佈. 然後積分得電場分佈. 利用邊界條件 E(x=0+) = E(x=0-) 代入. 可得 Na Wp = Nd Wn. 這個數學式代表熱平衡時是電中性. 物理現象的解釋可從PN接面形成時的現象來思考. 接面形成時. P型區的電洞向N型區擴散 造成P型
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#4
[問題] p-n junction
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者armoni (徵說英文的同伴)時間19年前 (2007/02/02 11:25), 編輯資訊
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想請問一下p+-n junction中. 為何輕度參雜區的寬度比重度參雜區的寬度寬呢?. 如果以p+和n型的接面來說. p+的離子空乏區寬度會小於n的離子空乏區 why?. 因為直覺上 p+的電洞擴散梯度應該比n的電子擴散梯度來的強. 所以不是應該電洞擴散比較多嗎 相對的 留下的受體離子應該會較多.
#3
Re: [問題] p-n junction
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者rummel (rummel)時間19年前 (2006/12/20 16:25), 編輯資訊
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impurity scattering主要為參雜雜質的碰撞機制. 當溫度越高的時候,impurity受到的能量越大,所以速度越快. 與晶格原子的庫倫作用力變更小. 所以碰撞機率降低,故mobility上升. 通常Lattic scattering的機制會比較複雜,因為有牽涉到晶格震動產生的聲子(ph
#2
Re: [問題] p-n junction
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者Rigid (陽光下的奇蹟)時間19年前 (2006/12/20 14:53), 編輯資訊
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應該說是溫度升高時理論上conductivity會因為scattering變大而下降. 這對於lattice或是impurity都是一樣的. 但因為impurity溫度上升時會解離出更多載子. 所以conductivity反而上升了. 變成兩種機制在彼此拉鋸. 看誰對溫度的感受變化大就由哪一種機制d
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