[問題] p-n junction
想請問一下p+-n junction中
為何輕度參雜區的寬度比重度參雜區的寬度寬呢?
如果以p+和n型的接面來說
p+的離子空乏區寬度會小於n的離子空乏區 why?
因為直覺上 p+的電洞擴散梯度應該比n的電子擴散梯度來的強
所以不是應該電洞擴散比較多嗎 相對的 留下的受體離子應該會較多
而造成p+區域的離子空乏寬度變的較寬 n區域的離子空乏寬度較窄
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