Re: [請問]氫氟酸與矽
※ 引述《PDADDY (All Eyez On Me)》之銘言：
: ※ 引述《cellowu (cellowu)》之銘言：
: : ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
: : 一般的的wafer 之氧化層會呈疏水性,要先吃過HF他會先變親水性(這時還是氧化層)
: : 最後再變回疏水性(無氧化層)
: 這個部份我覺得怪怪的
: 所謂一般wafer的氧化層是指native oxide(1)
: 還是指PECVD覆蓋上去的氧化層(2)
: 還是通氧氣在高溫之下 silicon wafer表面形成的氧化層呢?(3)
: 因為不論是市售的wafer或是實驗室自己生長切片後的wafer
: 在1或是3的狀況之下 都是呈現親水性
: 經過HF清洗之後呈現疏水性
: 但是在經過化學拋光之後
: 1和3都是呈現疏水性
: 也就是說經過拋光手續之後
: 不論是natice oxide或是通氧生成的oxide
: 都是呈現疏水性質的
(1)放在大氣中氧化的wafer
(2)PECVD 用TEOS 長的oxide
(3)市售的SiO2
(2,3)都是水藍色的
這個在未吃過HF 前碰到水時都是疏水性,只是他的水珠稍為大顆一點
但一吃過HF會先馬上變親水性,再變疏水性
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※ 編輯: cellowu 來自: 140.118.160.104 (11/06 21:49)
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