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討論串[請問]氫氟酸與矽

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Re: [請問]氫氟酸與矽

推噓1(1推 )留言3則，0人參與作者cellowu (cellowu)時間17年前 (2008/11/07 00:19)資訊

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我說的oxide 都是成長在si wafer (polish side). 而(3)我是直接拿市售的SiO2 wafer polish side 去碰水大小約2*2cm^2. 結果是疏水性. (2)PECVD 用TEOS 長SiO2 後來再用微顥蝕刻(正光阻),我的線寬還滿大的. --- SiO2-

(還有147個字)

Re: [請問]氫氟酸與矽

推噓0(0推 )留言0則，0人參與作者PDADDY (All Eyez On Me)時間17年前 (2008/11/06 22:43)資訊

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如果指的氧化層厚度都是100nm左右的話. 2跟3應該都是未拋光的片子. 不過2我沒試過未拋光座氧化層的親疏水性測試. 但是1跟3我很確定浸泡HF之前是完全的親水性. 因為整片wafer都覆蓋滿水而不是水珠. 至於化學拋光過後. 3我有做過浸泡HF觀察變化. 不過都是完全疏水性. 剛剛很無聊跑去翻

(還有368個字)

Re: [請問]氫氟酸與矽

推噓0(0推 )留言0則，0人參與作者cellowu (cellowu)時間17年前 (2008/11/06 21:44)資訊

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(1)放在大氣中氧化的wafer. (2)PECVD 用TEOS 長的oxide. (3)市售的SiO2. (2,3)都是水藍色的. 這個在未吃過HF 前碰到水時都是疏水性,只是他的水珠稍為大顆一點. 但一吃過HF會先馬上變親水性,再變疏水性. --. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.c

Re: [請問]氫氟酸與矽

推噓0(0推 )留言0則，0人參與作者PDADDY (All Eyez On Me)時間17年前 (2008/11/06 20:41)資訊

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這個部份我覺得怪怪的. 所謂一般wafer的氧化層是指native oxide(1). 還是指PECVD覆蓋上去的氧化層(2). 還是通氧氣在高溫之下 silicon wafer表面形成的氧化層呢?(3). 因為不論是市售的wafer或是實驗室自己生長切片後的wafer. 在1或是3的狀況之下都是

(還有252個字)

Re: [請問]氫氟酸與矽

推噓0(0推 )留言0則，0人參與作者cellowu (cellowu)時間17年前 (2008/11/06 00:39)資訊

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^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^. 一般的的wafer 之氧化層會呈疏水性,要先吃過HF他會先變親水性(這時還是氧化層). 最後再變回疏水性(無氧化層). --. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 140.118.160.104.

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