Re: [請問]氫氟酸與矽
※ 引述《cellowu (cellowu)》之銘言：
: ※ 引述《PDADDY (All Eyez On Me)》之銘言：
: : HF和silicon本來就不會反應
: : HF主要是和silicon dioxide反應
: : 如果是一般市售的silicon wafer(厚度大約200~300micro)
: : 丟進HF溶液理 的確有機會飄浮在水面
: : 不過是因為表面張力的關係
: : 你去推一下wafer 改變他的平衡 就會沉下去了
: : 如果是你丟進去 下沉再浮起來 就是有反應了
: : 不過不是silicon 和HF的反應
: : 而是silicon表面在空氣中自然形成的silicon dioxide和HF反應
: : wafer背面和正面都會有小汽泡 因此wafer就會浮起來了
: : 一般人可能會覺得拋光後應該就沒有氧化層了
: : 的確是這樣沒錯 不過放在空氣中還是會繼續生成氧化層
: : 判斷silicon wafer表面有沒有氧化層的方式
: : 一般是用親疏水性來判斷
: : 不過如果表面拋光品質夠好 就算有50~100nm厚度的氧化層
: ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
: 一般的的wafer 之氧化層會呈疏水性,要先吃過HF他會先變親水性(這時還是氧化層)
: 最後再變回疏水性(無氧化層)
這個部份我覺得怪怪的
所謂一般wafer的氧化層是指native oxide(1)
還是指PECVD覆蓋上去的氧化層(2)
還是通氧氣在高溫之下 silicon wafer表面形成的氧化層呢?(3)
因為不論是市售的wafer或是實驗室自己生長切片後的wafer
在1或是3的狀況之下 都是呈現親水性
經過HF清洗之後呈現疏水性
但是在經過化學拋光之後
1和3都是呈現疏水性
也就是說經過拋光手續之後
不論是natice oxide或是通氧生成的oxide
都是呈現疏水性質的
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