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作者 ZincTin 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共22則
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9F→: 小信號模型是建立在外加的信號變化不大的情況下才成立04/06 20:57
10F→: 所以小信號的變化要遠小於直流偏壓,電晶體在這樣的前提04/06 20:59
11F→: 下才能發揮放大的效果04/06 20:59
12F→: 放大訊號的效果04/06 20:59
13F推: VOV = VGS -Vth,是控制電晶體電流的參數,單位一樣為電04/07 12:02
14F→: 壓04/07 12:02
15F→: vid的變化同樣會落於VGS(以此例而言),也就會影響電晶體04/07 12:05
16F→: 電流,所以利用VOV來衡量外加的訊號大小是否足夠小,不會04/07 12:05
17F→: 影響到直流04/07 12:05
18F→: 訊號足夠小才能使用小訊號模型來計算及估計04/07 12:40
19F推: gm = unCox(VGS-Vt)W/L04/07 17:10
20F→: 應該是不用重推,因為gm的算法是固定的04/07 17:11
1F→: 圖片看不到03/25 16:51
28F→: 電路左右兩邊是對稱的,200歐姆的跨壓幾乎等於0,因此不03/23 18:04
29F→: 計其電流03/23 18:04
30F→: 15V/300K=0.05mA03/23 18:05
31F→: 實際跨在300K歐姆的電壓應該更小,其經過的電流也小03/23 18:07
5F→: 題目只有一半,要怎麼解呢?12/20 16:27
6F→: https://m.imgur.com/RHZgNts12/20 16:51
3F→: Neaman的半導體元件物理08/20 19:50
4F→: 施敏教授的半導體元件物理及製造技術08/20 19:52
5F→: 胡正明教授的半導體元件:在積體電路上的應用08/20 19:53
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