作者查詢 / soonlih
作者 soonlih 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共42則
限定看板:Electronics
看板排序:
5F推: ROM通常寫慢讀快吧05/07 01:15
3F推: 我記得IC contest好像也出過同樣的電路,流程同樓上,稍02/03 23:58
4F→: 微抓一下head room,接著設計偏壓點02/03 23:58
9F推: 推12/28 11:35
1F推: 不太確定你想表達的,但你的意思應該是你想做一個standar12/28 11:32
2F→: d cell吧?挖掉可以,不建議用poly走線,訊號會有問題。12/28 11:32
3F→: 你如果擔心APR會有問題,可以產生gds匯去laker針對你的ce12/28 11:32
4F→: ll修改12/28 11:32
7F推: 你這個問題的前提是把op當作comp但實作上不太會這樣,現12/28 11:18
8F→: 在應該主要都是使用strong arm comp吧?12/28 11:18
1F推: 這篇做過就知道有多精闢了09/29 09:00
5F推: 幫樓上補充,用pole跟zero的方式去想像,再帶入穩定性就09/17 11:42
6F→: 很好想像了。通常會假設two stage有2 poles 1 zero09/17 11:42
18F推: 以CS電路為例,你想的相位轉180原因應該是Vo/Vi=-gm*RD的09/18 20:25
19F→: 關係來的,但這是DC的正反相關係。但你內容說的相位穩定09/18 20:25
20F→: 是由CS的transfer function,去分析pole zero所得到的;09/18 20:25
21F→: 而一個pole提供90度的phase shift,通常為了簡化會將2 st09/18 20:29
22F→: age當作2 pole system,這部分是視為ac09/18 20:29
1F→: 補充一下,TF檔是建Library時,確定有放入的09/05 07:25
1F推: 用快捷N 檢查繞線?06/24 18:23
15F推: 可以用副廠的,但有些模組要原廠才可以使用06/08 10:52