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作者 KYSC 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共12則
限定看板:Electronics
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1F→: 小弟淺見是GCNMOS是透過電容耦合一個稍微大於Vt 的電壓來降09/09 15:55
2F→: 低Vt1 比起GGNMOS 更能均勻導通 感覺還是屬於透過drain 崩09/09 15:55
3F→: 潰的方式啟動09/09 15:55
4F→: 而RC Inverter 是希望當ESD事件發生期間 大尺寸的NMOS能夠09/09 15:55
5F→: 保持在turn on 的狀態 不太是透過崩潰來啟動09/09 15:55
3F→: 那請問除了負載電容外也會看到並一個負載電容 這也是因為PC08/31 18:06
4F→: B板的寄生的阻抗嗎08/31 18:06
5F→: 打錯 是電阻 負載電容並負載電阻08/31 18:07
8F→: 是在模擬一串inverter 做function 模擬的時候需要在輸出端08/31 18:18
9F→: 加上電容或再並一個電阻才能確保其推力 在沒有明確指出要推08/31 18:18
10F→: 什麼負載的情況下 想知道這些負載是考量到哪些的寄生效應而08/31 18:18
11F→: 加的08/31 18:18
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