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作者 highcal24 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共14則

限定看板：Electronics

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[ Electronics ]10 留言, 推噓總分: 0

作者: highcal24 - 發表於 2016/10/06 11:45(9年前)

8^F→highcal24: 感謝r大，已跪10/06 21:04

9^F→highcal24: 所以這裡的width和mos的。width10/06 21:07

10^F→highcal24: 不是同一個width囉？10/06 21:07

[ Electronics ]5 留言, 推噓總分: +1

作者: highcal24 - 發表於 2016/09/26 23:21(9年前)

4^F→highcal24: 謝謝！09/29 09:12

[ Electronics ]64 留言, 推噓總分: +3

作者: crab321 - 發表於 2016/09/26 18:19(9年前)

1^F推highcal24: DIBL是因為source端能帳下降使元件更好通造成VT上升09/26 23:07

2^F→highcal24: Body effect 是因為body加電壓使drain端的PN接面逆偏09/26 23:08

3^F→highcal24: 空乏區變大吃掉channel 使Vt上升09/26 23:09

16^F推highcal24: 因為DIBL 效應的condition下 Vg和Vd給偏壓同時會有其09/28 10:23

17^F→highcal24: 他效應發生，而body effect的condition僅需要考量body09/28 10:24

18^F→highcal24: effect的效應，仔細看後 DIBL效應在drain加大電壓後09/28 10:25

19^F→highcal24: 也會有其他效應09/28 10:25

[ Electronics ]7 留言, 推噓總分: +3

作者: highcal24 - 發表於 2016/02/01 23:13(10年前)

2^F→highcal24: 好想知道喔～嗚嗚02/02 18:37

[ Electronics ]10 留言, 推噓總分: +6

作者: Kovainen - 發表於 2014/11/02 18:51(11年前)

7^F推highcal24: 看mos那章11/09 13:29

[ Electronics ]2 留言, 推噓總分: +2

作者: CaOH2 - 發表於 2012/12/10 17:39(13年前)

2^F推highcal24:好文章讚09/24 16:31

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