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作者 fragmentwing 在 PTT [ Stock ] 看板的留言(推文), 共123則
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2F→: 上次做自由輪 這次換做自由標槍和自由走炮吧XD04/07 14:07
10F推: 也可以出自由鬥士freedom fighter XD04/07 14:09
106F推: 這個f16的f是freedom的f(誤04/07 14:26
134F推: 核戰爆發的話 只有實體黃金白金能獲利吧 不過要先找03/06 12:26
135F→: 到能活著交易的對象03/06 12:26
794F→: 上新聞啦11/10 21:33
795F推: 補推11/10 21:35
137F推: 推打臉XD11/10 21:33
185F推: 原來股板這裡真的有這麼多崩潰的喔?11/10 21:31
363F推: DPP啥時還我台灣核四05/13 17:08
79F→: 核戰開打才會這樣吧05/10 19:06
10F→: 其實我是有看過2016年已經有實驗室做出看起來很粗糙05/06 22:31
11F→: 的奈米線了 但以製程來講 要做出超級均勻平坦的奈米05/06 22:31
12F→: 片應該比蝕刻通道後把線材填進去要難05/06 22:31
13F→: 奈米線好像沒有一定要圓的 如果要做出穩定的圓柱確05/06 22:35
14F→: 實超難 但實質上好像沒這麼規定05/06 22:35
22F→: IBM想甩掉半導體?05/06 23:09
33F→: 所以不是甩掉半導體而是往純實驗室方向轉吧05/06 23:30
36F→: 對齁 因為前半段 所以要這樣翻才對05/06 23:32
279F推: 哇靠 台G不是還在gaa 2nm研發中嗎05/06 21:06
284F→: 而且是連能耗問題一起改善喔? 太扯了吧05/06 21:07
305F推: 底介電這個和以前的SOI不同嗎?05/06 21:14
330F推: 我記得2016就有實驗室弄出奈米線技術 可是圖和這個05/06 21:22
331F→: 完全不能比 這個很工整05/06 21:22
349F推: 找原文來看 這個是nanosheet 然後查了一下 台積電的05/06 21:31
351F→: 2nm也是往這方向走05/06 21:31
354F→: 原來台g在3月的時候也有重大突破 真刺激05/06 21:32
361F→: 然後Intel在原文某段對比下挺淒涼的05/06 21:38
362F→: 「ibm弄出2nm，三星在弄3nm，台積在等2nm，相對地，05/06 21:38
363F→: 我們相信intel應該能在5nm上搞出一點東西」05/06 21:38
364F→: 沒有翻得很精確 但那段大致上意思是這樣05/06 21:38
372F推: 話說回來 材料確實是可能發生實驗室技術領先業界1005/06 21:43
373F→: 年20年這種事 不過在半導體上不太可能05/06 21:43
434F推: 推文有人講2奈米散熱撐不住 注意到他的功耗算起來壓05/06 22:12
435F→: 低到1/4 那熱電子效應之類的應該是有被大幅壓制住05/06 22:12
436F→: 所以功耗降低這點真的可怕05/06 22:12
447F→: 這種gaa架構和finfet架構的共通點是 off state 時等05/06 22:17
448F→: 效通道長度會拉長 但導通時等效長度恢復成跟原來一05/06 22:17
449F→: 樣 借此變相提升關閉時的能障 也可以以通道長度對穿05/06 22:17
450F→: 隧效應的影響去理解 多那一面 off state 時的長度能05/06 22:17
451F→: 拉得更長05/06 22:17
461F推: 功耗的降低 有可能是單純來自這點 就不知道是不是真05/06 22:21
462F→: 的這麼單純而已 如果真的只是這麼單純的話 台積只要05/06 22:21
463F→: 做出來也不見得會輸 但是壓到1/4真的很可怕05/06 22:21
492F推: 你這樣講乍看之下有道理 但有個問題 微縮後等效應該05/06 22:43
493F→: 是開1/倍率平方 可是SCEs的效應互相加成下 成長的速05/06 22:43
494F→: 度是能到2~3次方左右甚至更高的 這樣算一算剩下的就05/06 22:43
495F→: 得看他off state時長度增長能把功耗壓多少下來 或是05/06 22:43
496F→: 還有其他因素在05/06 22:43
506F→: 等等 是電力消耗? 那也不會是1/倍率平方啊 做得愈小05/06 22:45
507F→: 本來運作同樣數量的電晶體就會壓下去05/06 22:45
515F推: 功耗沒把漏電算進去?05/06 22:48
523F推: 不是 你先說一下功耗為什麼會沒把漏電算進去05/06 22:51
527F→: 他這樣根本不是7nm能滿足的事情用2nm來做 是用7nm的05/06 22:54
528F→: 能量去做2nm的事欸05/06 22:54
535F推: 同大小數量變多漏電比率不會增加吧 是縮小後漏電會05/06 22:56
536F→: 嚴重增加05/06 22:56
539F→: 就是不知道多一個閘對長度能做出多少貢獻壓掉多少SC05/06 22:58
540F→: Es 等這分析出來大概台G也已經做好了XD05/06 22:58
542F→: 電晶體數量明顯是不一樣的啊 耗費相同的是電力欸05/06 22:59
556F推: 照理來講，應該說這階段面臨的困境是尺寸縮小漏電是05/06 23:04
557F→: 用飆的，材料抵抗熱電子等效應的能力會減小，然後他05/06 23:04
558F→: 竟然克服功耗問題，所以我才覺得很恐怖。但理論上GA05/06 23:04
559F→: A架構能減輕這些，就是不知道會減多少，而等到減多05/06 23:04
560F→: 少的分析出來後，台G大概已經做好了，所以這邊屬於05/06 23:04
561F→: 未知數05/06 23:04
564F→: 當然板友一直強調的良率也是個很大的未知數就是了05/06 23:05
565F→: 都說性能增加45%了你還在性能一樣……05/06 23:07
576F→: 喔喔 輸出同樣性能05/06 23:10
583F推: 那還是回到剛才那個倍率的問題啊 算起來應該是追不05/06 23:14
584F→: 上短通道效應的 人家其中一個是指數函數還互相加成05/06 23:14
585F→: 這中間是不是只靠GAA就能壓回去是未知數05/06 23:14
588F→: 如果壓得過去，等台積做出來大概沒問題，就不知道中05/06 23:16
589F→: 間還有沒有別的東西05/06 23:16
590F→: 回到良率勝負台積應該還是很有利的 畢竟肝啊05/06 23:17
595F推: 嘛 至少並不是多絕望 這場勝負很刺激的05/06 23:21
601F推: 咦？好像懂一些的人有在這裡 借問一下 台g現在litho05/06 23:26
602F→: graphy 還是LELE嗎?05/06 23:26
154F推: 哇……05/06 22:28