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作者 CJChang 在 PTT [ NEMS ] 看板的留言(推文), 共3則
限定看板：NEMS
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Re: [問題]RIE SiO2 蝕刻問題
[ NEMS ]5 留言, 推噓總分: +1
作者: SkyLark2001 - 發表於 2015/01/01 10:01(11年前)
4F→CJChang: 建議可以試著找尋AOE(anisotropic oxide etching)-RIE02/06 15:51
5F→CJChang: AOE形式的RIE造成的底切很小 不會造成尺寸差異過大現象02/06 15:53
[問題] 光阻犧牲層移除問題
[ NEMS ]6 留言, 推噓總分: +2
作者: LittleBlue21 - 發表於 2013/10/04 20:57(12年前)
5F→CJChang:這種類似結構應該先考慮最後free standing的膜層應力....10/08 08:47
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