[問題] 光阻犧牲層移除問題
大家好
最近在製程上遇到一些問題
於是來請教各位前輩
下圖是製程pattern的側面圖
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Si
基板是Si+SiO2
細線與粗線代表的是金屬鋁
形成一個橋狀的懸空結構(與基板之間為中空)
但中間又有個gap使橋面斷開
製做的方法是先在基板塗佈光阻當犧牲層(有用過S1813 及AZ4620)
光阻曝光顯影後整個sample進行鋁金屬鍍膜(有用過e beam及sputter)
接著再用第二道光阻來定義蝕刻區,透過鋁的蝕刻液來吃出如圖的gap
之後泡丙酮來洗去所有的光阻來達成下方懸空
問題是我在最後的步驟卻無法洗去第一層的犧牲層光阻
因為有確認過中間每一個步驟
(兩道曝光顯影及鋁蝕刻液的溼蝕刻在顯微鏡下都沒有異常)
但如果直接整片拿去震洗又會損毀結構
有猜想會不會是e beam鍍膜過程使光阻變化不易清除
因此也有試過sputter的方式鍍鋁
雖然情況有改善但也無法完全清除犧牲層光阻
而且有時泡完ACE,橋面的鋁也會整片脫落
爬文雖然看到不少Lift off相關文章
卻好像沒發現與我類似的情況
也有試過O2 plasma,但非等向性的特性還是不能使正下方的光阻清除
另外因為之前用的S1813是薄光阻,我有想過加厚犧牲層的厚度(10um以上)
不曉得這樣的方式能不能有所改善
但每次泡ACE時還是戰戰兢兢
有沒有人能給我一些建議呢?
一直無法突破真的很令人洩氣
謝謝各位
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