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作者 boson5566 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共18則

限定看板：Electronics

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[問題] MOS VT 溫度變化關係推導

[ Electronics ]1 留言, 推噓總分: 0

作者: rabit1220 - 發表於 2021/09/23 09:19(4年前)

1^F→boson5566: MOSFET Vth Temperature google就有了09/24 23:12

[問題] 如何控制燈泡閃爍頻率？

[ Electronics ]14 留言, 推噓總分: +4

作者: cra2y37037 - 發表於 2021/03/18 18:04(4年前)

1^F推boson5566: 1. 不會壞除非你很衰03/18 19:21

2^F→boson5566: 另外沒辦法直接用arduino本身的電源給電功率差太多03/18 19:22

3^F→boson5566: 要用arduino控制繼電器把強電跟弱電開處理03/18 19:23

4^F→boson5566: 2. 想即時改變要馬就寫介面可以輸入不然就是寫迴圈03/18 19:24

5^F→boson5566: 搭配一些按鈕或可變電阻用電壓輸入去控制03/18 19:24

[問題] 提供layout比對的軟體或公司

[ Electronics ]6 留言, 推噓總分: +2

作者: newwrite - 發表於 2020/12/21 22:46(5年前)

2^F→boson5566: 不就XOR跑一跑就有了?12/23 20:21

[問題] MIM電容容值計算

[ Electronics ]5 留言, 推噓總分: +2

作者: zero06795 - 發表於 2017/08/16 20:49(8年前)

1^F推boson5566: 1.相同 2.介電質的介電係數沒有乘進去(ex: SiO2=3.9)08/16 21:10

Re: [問題] 載子濃度(霍爾量測vs.C-V量測)

[ Electronics ]1 留言, 推噓總分: 0

作者: HHChih - 發表於 2016/06/15 01:34(9年前)

1^F→boson5566: 1.你可以回文 2.霍爾不一定只能量磁性材料06/15 01:41

[問題] 載子濃度(霍爾量測vs.C-V量測)

[ Electronics ]3 留言, 推噓總分: +2

作者: p94107 - 發表於 2016/05/19 23:23(9年前)

1^F推boson5566: CV量測回推的是bulk濃度 Hall是sheet carrier density05/20 11:06

[問題] 溫度越高，費米能階越靠近Ei?

[ Electronics ]8 留言, 推噓總分: +4

作者: jimmy6247 - 發表於 2016/05/15 01:58(9年前)

4^F推boson5566: 大略有兩個原因一個是變溫的時候 Eg也會隨溫度變化05/15 10:52

5^F→boson5566: 另一個是溫度上升 intrinsic的載子濃度增加05/15 10:53

6^F→boson5566: 當增加超過你doping的濃度就會變成由ni dominate05/15 10:53

[問題] Arduino Serial Port 連接問題

[ Electronics ]7 留言, 推噓總分: +1

作者: cktheonly - 發表於 2015/10/03 09:31(10年前)

1^F→boson5566: 兩者baud rate不一樣怎麼會收的到..10/03 12:53

[問題] 蕭特基二極體漏電流

[ Electronics ]5 留言, 推噓總分: 0

作者: andy12367892 - 發表於 2015/09/05 00:27(10年前)

1^F→boson5566: turn-on voltage大表示Schottky-barrier較大09/05 00:45

2^F→boson5566: 而Schottky-barrier大電子由thermal emission過去的09/05 00:45

3^F→boson5566: 機率會較低故漏電流較小蠻基本的半導體物理09/05 00:46

4^F→boson5566: 漏電流太大的話不外乎就是比較耗電或是無法關閉09/05 00:47

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