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作者 LittleBlue21 在 PTT [ NEMS ] 看板的留言(推文), 共27則
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Re: [問題] 光阻犧牲層移除問題
[ NEMS ]6 留言, 推噓總分: +1
作者: SkyLark2001 - 發表於 2013/10/07 17:05(12年前)
1FLittleBlue21:感謝您的建議10/07 19:48
[問題] 光阻犧牲層移除問題
[ NEMS ]6 留言, 推噓總分: +2
作者: LittleBlue21 - 發表於 2013/10/04 20:57(12年前)
2FLittleBlue21:樓上是指用polyimide?10/04 22:03
4FLittleBlue21:感謝建議,我研究看看10/05 01:11
Re: [問題] 用正光阻LIFT OFF
[ NEMS ]2 留言, 推噓總分: +2
作者: SkyLark2001 - 發表於 2013/04/11 11:14(12年前)
1FLittleBlue21:謝謝S大~~04/11 13:18
Re: [問題] 用正光阻LIFT OFF
[ NEMS ]17 留言, 推噓總分: +3
作者: LittleBlue21 - 發表於 2013/04/11 01:03(12年前)
7FLittleBlue21:謝謝J大04/11 09:01
9FLittleBlue21:我知道裡面沒寫會致癌阿,但大家都這樣說,小心點總是04/11 17:19
10FLittleBlue21:好的,而且我只是說"可能"..04/11 17:19
13FLittleBlue21:謝樓上,那我修改文章好了04/12 13:45
Re: [問題] 用正光阻LIFT OFF
[ NEMS ]3 留言, 推噓總分: +1
作者: bbdd203 - 發表於 2013/04/11 00:07(12年前)
1FLittleBlue21:請問O2 plasma打的時機是在顯影前嗎? 還有為什麼要厚04/11 01:09
2FLittleBlue21:光阻呢? 如果金屬結構設計要薄一點就不能打了嗎?04/11 01:10
3FLittleBlue21:更正,應該說結構高度要低一點的話04/11 01:11
Re: [問題] 負型光阻一問
[ NEMS ]1 留言, 推噓總分: 0
作者: SkyLark2001 - 發表於 2013/03/13 12:13(13年前)
1FLittleBlue21:知道了 感激不盡~03/13 12:17
[問題] 負型光阻一問
[ NEMS ]58 留言, 推噓總分: +14
作者: tengyuan - 發表於 2013/03/11 12:08(13年前)
27FLittleBlue21:請問過曝是指曝太久能量太強嗎?那為什麼pattern不見03/11 18:15
28FLittleBlue21:會是過曝呢?不是應該是能量不夠嗎???03/11 18:16
29FLittleBlue21:因為我也是有pattern不見的問題...03/11 18:16
37FLittleBlue21:那請問S大,如果我的大size pattern還在(約幾百micron03/12 20:33
38FLittleBlue21:但小的pattern(約10 micron或更小)不見了,是不是過顯03/12 20:35
39FLittleBlue21:因為顯影前還隱約可看見小pattern03/12 20:36
40FLittleBlue21:之前pattern不見以為是能量不夠,因此一直加曝光時間03/12 20:37
41FLittleBlue21:後來顯影前才終於可見小pattern,但顯完又不見了...03/12 20:38
42FLittleBlue21:還是我的也是過曝呢?不過我可以改變的只有曝光時間03/12 20:44
50FLittleBlue21:SU8 3035稀釋光阻 SiO2基板,我的顯影時間有減少了03/13 08:41
51FLittleBlue21:那是學長留下來的數據,稀釋完大約在3005跟3010中間03/13 08:43
52FLittleBlue21:t大我的寬的pattern很好顯,但小的顯完就不見了,我有03/13 08:45
53FLittleBlue21:用OM看過卻找不到,而顯影前肉眼可以勉前看到小點03/13 08:46
55FLittleBlue21:小的pattern是應該要留下來(透光的),但是看起來沒有03/13 10:02
58FLittleBlue21:小pattern 5um左右03/13 12:16
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