作者查詢 / KaryuuIssen
作者 KaryuuIssen 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共39則
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1F推: 對稱的 z=0的時候E=0 看得出來吧08/30 06:29
3F推: 要嚴格一點 那就先算出其中一個邊界的電場 得到08/30 16:00
4F→: 邊界條件 再代入E2的式子得到C208/30 16:00
6F推: 理論上通道空乏區大的話 Vt應該是要變大沒錯07/31 10:44
7F→: 但SCE的通道空乏區變大其實主要是因為D極的空乏區07/31 10:45
8F→: 擴張到通道所導致的 S,D兩極在SCE的情況下反而能與07/31 10:46
9F→: 通道共享更多部份的空乏區 讓Gate方不需要加那麼多07/31 10:46
10F→: 電壓來讓通道反轉07/31 10:47
1F推: 哪部份電路? S/A?05/31 14:25
6F推: RRAM的set 可能在說write電路06/01 12:09
1F推: 感謝推 雖然不明白延遲能解決的理由XD03/16 19:28
3F→: 加了還是一樣有問題03/05 15:41
5F→: 感謝樓上! 雖然沒完全解決 但把delmax設小能改善不少03/05 17:48
6F→: 查了一下delmax是模擬時internal timestep大小的控制03/05 17:49
7F→: 這跟abs()出錯為什麼會有關係??03/05 17:50
12F→: 我是把delmax再降幾個數量級 改善不少但會跑比較久@@03/07 04:09
2F→:穩態的時候還會有VDS壓降嗎?02/22 19:46
4F→:原來如此 感謝~02/23 03:19
17F推:感謝推01/19 14:11
2F→:那只適用一般的電阻吧 當平板邊長遠大於該兩點距離01/10 02:44
3F→:應該不能用一般電阻公式算01/10 02:44
4F→:我是在想觸發的部份用二極體不知道行不行...12/14 01:19
5F→:不用瞬間切換 OFF->ON可以像電容充電從0到Vdd一樣12/14 01:22
7F→:也可以啦 只是想說能讓電路越簡化越好~12/14 17:22
8F→:再加上這個半導體元件本來就不是主動元件 所以希望能12/14 17:24
9F→:用被動元件兜起來就好@@12/14 17:25
2F→:有點看不懂 意思是?11/12 17:52