[請益] 電子學的body effect跟短通道效應的疑問

看板Electronics作者 (SONG-SONG)時間3年前 (2020/07/30 13:55), 編輯推噓3(3推 0噓 11→)
留言14則, 6人參與, 3年前最新討論串1/2 (看更多)
Body effect: 在body施加比S極更低的電壓 空乏區往通道延伸 空乏區變大 使閥值電壓(Vt)變大 short channel effect:在D極施加高電壓 D極的空乏區變大 通道變短 使閥值電壓(Vt)變小 疑問是:兩者空乏區都會變大 通道變短 一個使Vt變高 一個使Vt變低 問一下差別在哪 希望高手解惑謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.76.174.76 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1596088504.A.30E.html
推
07/30 13:58, 3年前 , 1F
一個還沒導通 一個已經導通
07/30 13:58, 1F
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07/31 00:29, 3年前 , 2F
謝謝B大 雖然還沒搞懂你的意思 不過謝謝回答
07/31 00:29, 2F
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07/31 09:41, 3年前 , 3F
short channel effect強調整個MOS size小而不是VDS電
07/31 09:41, 3F
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07/31 09:41, 3年前 , 4F
壓吧？
07/31 09:41, 4F
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07/31 09:48, 3年前 , 5F
SCE一般是在講DIBL吧，會跟VDS有關啊
07/31 09:48, 5F
推
07/31 10:44, 3年前 , 6F
理論上通道空乏區大的話 Vt應該是要變大沒錯
07/31 10:44, 6F
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07/31 10:45, 3年前 , 7F
但SCE的通道空乏區變大其實主要是因為D極的空乏區
07/31 10:45, 7F
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07/31 10:46, 3年前 , 8F
擴張到通道所導致的 S,D兩極在SCE的情況下反而能與
07/31 10:46, 8F
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07/31 10:46, 3年前 , 9F
通道共享更多部份的空乏區 讓Gate方不需要加那麼多
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07/31 10:47, 3年前 , 10F
電壓來讓通道反轉
07/31 10:47, 10F
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07/31 23:55, 3年前 , 11F
謝謝K大 講法合情合理
07/31 23:55, 11F
推
08/22 17:40, 3年前 , 12F
我想B大的意思是，channel length modulation發生在通道
08/22 17:40, 12F
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08/22 17:40, 3年前 , 13F
已經形成後，接著被空乏擠壓通道，電流上升。 唉！不過
08/22 17:40, 13F
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08/22 17:40, 3年前 , 14F
我還是不知道原po問題的答案…
08/22 17:40, 14F
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