Re: [問題] MOS的閃爍雜訊

看板comm_and_RF作者bmw325 (BMW325)時間15年前 (2009/01/16 20:18)推噓10(10推 0噓 2→)

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※ 引述《kj66 (冬天到來)》之銘言： : 請問我在paper看到說電路用PMOS會比NMOS : 用來降低1/f會比較好,可是沒說為什麼, : 我有去查Razavi的類比積體電路,雜訊這一章節有提到 : 不過好像只說一些,好像跟buried channel有關? : 謝謝 : ----------------- : 電學觀念太淺了 : 不好意思= = FLICKER NOISE的來源主要是跟元件OXIDE表面的TRAP有關這些TRAP的特性要去抓電子比要容易，要抓電洞比較不容易所以一般來說NMOS的雜訊會比PMOS大，是因為NMOS用電子再傳導，PMOS是用電洞在傳導。然而這種說法只適用在以前的製程(0.18um之前)，現在90之後甚至到32或28的製程，NMOS和PMOS在相同電流的情況下，PMOS的FLICKER NOISE事實上並沒有比較小。第二點現在的先進製程已經沒有在用buried channel這種技術了。那種技術主要是3～5年前PMOS的特性作不好，但是在設計元件的那些人又希望將電洞 mobility拉高到差不多剛好是電子的一半，加上也因為Vth的考量，於是用buried channel這種技術讓PMOS的電洞稍稍遠離表面一些，不要讓電洞貼著OXIDE的表面去行走，這樣子電洞的mobility會獲得有效提升，而且Vth也比較好調整。而電洞稍微遠離OXIDE表面，感覺起來就像通道被埋在基底，buried channel 這名字也就是這樣來。但也因為電洞稍稍遠離OXIDE表面導致有一個寄生電容，這會使元件其他特性變差後來就改用其他方式來拉電洞的mobility，後來buried channel這種技術就被放棄了。 -- -- 我承認我對韓國貨有偏見..你咬我啊..XD -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 118.169.107.141 ※ 編輯: bmw325 來自: 118.169.107.141 (01/16 20:22)

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moonls

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kj66

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jyhbna

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