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討論串[問題] MOS的閃爍雜訊
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#2
Re: [問題] MOS的閃爍雜訊
推噓10(10推 0噓 2→)留言12則，0人參與, 最新作者bmw325 (BMW325)時間17年前 (2009/01/16 20:18), 編輯資訊
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FLICKER NOISE的來源主要是跟元件OXIDE表面的TRAP有關. 這些TRAP的特性要去抓電子比要容易，要抓電洞比較不容易. 所以一般來說NMOS的雜訊會比PMOS大，是因為NMOS用電子再傳導，PMOS是用. 電洞在傳導。然而這種說法只適用在以前的製程(0.18um之前)，現在90之後.
(還有415個字)
#1
[問題] MOS的閃爍雜訊
推噓1(1推 0噓 4→)留言5則，0人參與, 最新作者kj66 (冬天到來)時間17年前 (2009/01/15 22:59), 編輯資訊
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請問我在paper看到說電路用PMOS會比NMOS. 用來降低1/f會比較好,可是沒說為什麼,. 我有去查Razavi的類比積體電路,雜訊這一章節有提到. 不過好像只說一些,好像跟buried channel有關?. 謝謝. -----------------. 電學觀念太淺了. 不好意思= =.
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