[問題] MOS的閃爍雜訊

看板comm_and_RF作者 (冬天到來)時間17年前 (2009/01/15 22:59), 編輯推噓1(1推 0噓 4→)
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請問我在paper看到說電路用PMOS會比NMOS 用來降低1/f會比較好,可是沒說為什麼, 我有去查Razavi的類比積體電路,雜訊這一章節有提到 不過好像只說一些,好像跟buried channel有關? 謝謝 ----------------- 電學觀念太淺了 不好意思= = -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.134.87.59 ※ 編輯: kj66 來自: 220.134.87.59 (01/15 23:01)
推
01/16 07:37, , 1F
因為PMOS主要靠電洞傳導，而閃爍閘訊主要
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→
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靠表面的那一層多出的量子態來不捉電子
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或電洞，因為電洞等校質量比較大，被捕捉
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或釋放的的機率比較小，所以雜訊較低。
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感謝T大回答,謝謝
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