Re: [請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎?

看板Tech_Job作者 (專打不專業環團)時間4年前 (2019/12/03 14:42), 4年前編輯推噓53(56推 3噓 26→)
留言85則, 58人參與, 4年前最新討論串2/2 (看更多)
這個問題短短的，但是認真回起來可是會變萬言書的。 光阻(photoresist,PR)是用來定義晶圓圖案的介質，光線經過光罩.透鏡將圖案轉移至光 阻上，再透過蝕刻將這層圖案轉印到底下的晶圓上，這就是簡單的半導體製作流程。 光罩上的圖案，是由光線轉印到光阻上，那要怎樣才能讓圖案越來越 小，就是半導體的 製程演進。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....這些就是製程世代中，用來表現製程能力 的代稱，在記憶體(ex:NAND)，這個數字代表BL/WL pitch 的1/2。 要如何讓光阻上轉印的圖型越來越 小，詳細請餵狗。總的來說，用波長較短的光是最簡 單的。如KrF波長248nm，ArF波長193nm，這些通稱DUV。KrF對應的世代是0.15-0.25um，A rF對應0.13-0.18um EUV波長為13.5nm，對應的則是則是7nm,5nm或以下。 從130nm - 7nm中間的空缺，則由193i以及多重曝光或多次圖型化技術給填上。 對應不同波長的光，就會有不同的光阻，一般你會聽到KrF光阻就是給248nm光源使用，Ar F就是給193nm光源使用。Immersion光阻就是給193i使用。EUV光阻不用我講吧。 一般來說，7nm，5nm用到EUV，光阻就會跟14nm相異。如果7nm，5nm還是使用193i搭配多 次圖型化技術，那跟14nm使用的光阻大致上一樣。 當然，光阻會有很多改進。當光波長變短，對應的光阻就會變的更薄更軟(對蝕刻的講法 ，就是更不耐蝕刻)。 光阻廠商會做很多的調整，讓光阻厚度，均勻度或抗蝕刻能力較佳。也有些調整是有關缺 陷(defect)的改進，同樣都是KrF，各家使用也是有所不同。 簡單科普，希望有幫到你。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.28.34.48 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1575355369.A.F38.html
推
12/03 14:45, 4年前 , 1F
路人學經驗
12/03 14:45, 1F
→
12/03 15:12, 4年前 , 2F
樓下歐底特 這篇幾顆星?
12/03 15:12, 2F
推
12/03 16:13, 4年前 , 3F
☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆
12/03 16:13, 3F
推
12/03 16:15, 4年前 , 4F
先推再看，謝謝
12/03 16:15, 4F
推
12/03 17:08, 4年前 , 5F
希望這種認真文越來越多
12/03 17:08, 5F
噓
12/03 17:26, 4年前 , 6F
輕輕鬆鬆問出技術細節 保密都不用了
12/03 17:26, 6F
這只是基本知識，連機密的邊都沾不上。
推
12/03 17:33, 4年前 , 7F
估狗就有的要保什麼密XD
12/03 17:33, 7F
推
12/03 17:41, 4年前 , 8F
某樓以為這樣就機密，你當tune參數的都87？
12/03 17:41, 8F
推
12/03 17:42, 4年前 , 9F
保密 XD
12/03 17:42, 9F
推
12/03 17:51, 4年前 , 10F
感謝科普，文組表示知道了。
12/03 17:51, 10F
→
12/03 17:54, 4年前 , 11F
直接回我 5434現在是便宜還是貴?
12/03 17:54, 11F
我記得我不是回在股版啊。 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/03/2019 18:05:45
→
12/03 18:09, 4年前 , 12F
文組才覺得這是細節
12/03 18:09, 12F
推
12/03 18:11, 4年前 , 13F
認真文推一個，黃光製程基礎入門課
12/03 18:11, 13F
推
12/03 18:21, 4年前 , 14F
推
12/03 18:21, 14F
→
12/03 18:52, 4年前 , 15F
這東西隨便買一本半導體製程課本應該都有吧..
12/03 18:52, 15F
→
12/03 18:54, 4年前 , 16F
哈哈六樓是反串吧
12/03 18:54, 16F
推
12/03 18:54, 4年前 , 17F
推 用心回覆
12/03 18:54, 17F
推
12/03 19:01, 4年前 , 18F
笑死 這是機密XD 要不要先關三天
12/03 19:01, 18F
推
12/03 19:07, 4年前 , 19F
對我們門外漢科普一下還是很有用的！
12/03 19:07, 19F
→
12/03 19:07, 4年前 , 20F
感謝！
12/03 19:07, 20F
推
12/03 19:10, 4年前 , 21F
笑死這細節機密XDDDDDDDDDDDD
12/03 19:10, 21F
推
12/03 19:38, 4年前 , 22F
台灣似乎沒有公司能做出半導體用的光阻
12/03 19:38, 22F
推
12/03 19:53, 4年前 , 23F
感謝分享，這篇把我的記憶都找回來了XD，我是開篇原PO
12/03 19:53, 23F
推
12/03 19:57, 4年前 , 24F
因為成功轉Q，我那本半導體製程早就丟了(不知道華通書局還
12/03 19:57, 24F
→
12/03 19:57, 4年前 , 25F
在不在)
12/03 19:57, 25F
推
12/03 20:06, 4年前 , 26F
我記得台灣還是有可以自製的半導體光阻，但是良率不好
12/03 20:06, 26F
→
12/03 20:18, 4年前 , 27F
依進步的速度，生產對應的光阻，資本支出要很大
12/03 20:18, 27F
→
12/03 20:18, 4年前 , 28F
機台不更新很難做對應的產品
12/03 20:18, 28F
→
12/03 20:19, 4年前 , 29F
另外如果沒有一間公司願意陪練，很難做出成熟產品
12/03 20:19, 29F
→
12/03 20:20, 4年前 , 30F
再加上信心度跟品牌形象問題，很難有後面的競爭者
12/03 20:20, 30F
推
12/03 20:30, 4年前 , 31F
推
12/03 20:30, 31F
噓
12/03 20:33, 4年前 , 32F
誰給你基本知識 這根本是常識
12/03 20:33, 32F
閣下學識淵博，能把這些常人餵狗都不見得能理解的事當常識。
推
12/03 20:34, 4年前 , 33F
推
12/03 20:34, 33F
推
12/03 20:56, 4年前 , 34F
認真文
12/03 20:56, 34F
推
12/03 21:01, 4年前 , 35F
之前達興好像有在玩光阻，不曉得成果如何就是了
12/03 21:01, 35F
推
12/03 21:01, 4年前 , 36F
用心給推
12/03 21:01, 36F
推
12/03 21:57, 4年前 , 37F
達興的不錯啊 但僅限於面板業，半導體光阻還是AZ
12/03 21:57, 37F
→
12/03 21:57, 4年前 , 38F
和日商為主
12/03 21:57, 38F
推
12/03 22:05, 4年前 , 39F
推科普
12/03 22:05, 39F
推
12/03 22:13, 4年前 , 40F
真正的機密是參數設定跟process內容好嗎 某樓？
12/03 22:13, 40F
推
12/03 22:25, 4年前 , 41F
感謝休息時間不多的黃光弟兄還出一篇好文
12/03 22:25, 41F
不是黃光弟兄，只是個求知欲比較高的打雜工。
推
12/03 22:35, 4年前 , 42F
光阻（PR) 基本上就高分子跟紫外光反應，被UV能量打斷鍵
12/03 22:35, 42F
→
12/03 22:35, 4年前 , 43F
結的部份顯影就被洗掉
12/03 22:35, 43F
奇實還有一種光阻叫負光阻，顯影過的地方是留著的。
→
12/03 22:35, 4年前 , 44F
不同波長能量不同，會產生斷鍵反應的鍵結也不同
12/03 22:35, 44F
推
12/03 22:44, 4年前 , 45F
BL/WL pitch 的1/2 是DRAM, NAND不是用這個算的唷
12/03 22:44, 45F
NAND的製程世代是B/LWL的1/2 pitch。NAND是4F^2的Cell size。
推
12/03 22:46, 4年前 , 46F
這就大方向提一提，機密在哪…
12/03 22:46, 46F
推
12/03 22:56, 4年前 , 47F
其實記憶體跟logic線寬不能直接對應
12/03 22:56, 47F
→
12/03 22:58, 4年前 , 48F
搞不好記憶體的19nm design rule 跟logic對應起來接近7n
12/03 22:58, 48F
→
12/03 22:58, 4年前 , 49F
m.
12/03 22:58, 49F
→
12/03 22:58, 4年前 , 50F
(純舉例，詳細數字我也不知道
12/03 22:58, 50F
這個講起來有點雜 NAND原本的製程世代是BL/WL的1/2pitch。但是在進入1字頭世代，為了搶快開始出現BL是 1X，WL是2X的NAND，這時也宣稱是1字頭世代，等到BL/WL都是1X的時候，就叫1字頭 + 世 代。 邏輯則是FinFET之後，製程世代的數字就越來越迷，I皇一套，T哥一套，星弟也一套。總 的來說是Fin pitch 的1/3約略等同製程世代，但這也只是約略，不是約定俗成的計算法 。
推
12/03 23:17, 4年前 , 51F
推推
12/03 23:17, 51F
推
12/03 23:40, 4年前 , 52F
推
12/03 23:40, 52F
推
12/04 00:14, 4年前 , 53F
科普的超好
12/04 00:14, 53F
推
12/04 02:15, 4年前 , 54F
機密啥 我上課做的報告都比這詳細
12/04 02:15, 54F
科普是要一般人都看的懂 報告是要給老師看的，寫科普報告上去肯定是低分那群。
推
12/04 02:32, 4年前 , 55F
推
12/04 02:32, 55F
推
12/04 04:34, 4年前 , 56F
趕緊推一下免得被發現看不懂
12/04 04:34, 56F
推
12/04 06:32, 4年前 , 57F
推一下
12/04 06:32, 57F
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:47:51
推
12/04 07:39, 4年前 , 58F
隔行如隔山 這真的算常職了
12/04 07:39, 58F
常識是指一般大眾普遍擁有，不需要特別學習的事。 知識是需要經過學習理解的過程而得到的，所以這些應該算基本知識。 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:52:16
推
12/04 08:10, 4年前 , 59F
推
12/04 08:10, 59F
→
12/04 08:21, 4年前 , 60F
光阻有正負型的差別
12/04 08:21, 60F
→
12/04 08:27, 4年前 , 61F
大部分的光阻是光酸或光起始劑去跟成份反應
12/04 08:27, 61F
→
12/04 08:28, 4年前 , 62F
高分子比較少做為吸光中心，斷裂也是斷側鏈為主
12/04 08:28, 62F
對非黃光出身的人而言，這些知識太深。非理工科系甚至可以直接放棄理解。 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:01:54
推
12/04 09:29, 4年前 , 63F
那同光源為何也有不同光阻的配置是和後續流程有關嗎？
12/04 09:29, 63F
這跟線寬有很大的關係 主要還是光阻的深寬比(AR) 有時光阻厚度需求超過了深寬比的最大值，這時就需要對光阻成份做調整，讓光阻不會因 為過高而倒塌(Collapse)。 另外還有可能就是缺陷的問題(defect)。 通常遇到這類問題，改另一種光源或xxx (可能有點違規 的風險，就請恕我保留)通常會比調整光阻成份容易。畢竟一種新成份光阻的使用與上線 ，存在的後續作業太繁瑣。除非另一種光阻已經有在FAB使用，那就只是適用性的問題。 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:42:13 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:44:32
推
12/04 09:44, 4年前 , 64F
老師您真佛心，還一個一個回覆，認真給推！
12/04 09:44, 64F
推
12/04 09:56, 4年前 , 65F
推一個0.0
12/04 09:56, 65F
推
12/04 09:59, 4年前 , 66F
太神啦
12/04 09:59, 66F
推
12/04 11:29, 4年前 , 67F
陰刻跟陽刻
12/04 11:29, 67F
噓
12/04 11:32, 4年前 , 68F
機密 ㄎㄎ
12/04 11:32, 68F
推
12/04 11:58, 4年前 , 69F
文組背完抄三次準備面試去 謝謝
12/04 11:58, 69F
推
12/04 12:56, 4年前 , 70F
你這段能默寫也沒辦法pass大學部蝕刻課 是要去面試掃地工
12/04 12:56, 70F
→
12/04 12:56, 4年前 , 71F
嗎
12/04 12:56, 71F
推
12/04 15:14, 4年前 , 72F
印象中正型解析度比較好，小線寬幾乎都正型？
12/04 15:14, 72F
→
12/04 15:15, 4年前 , 73F
如果同樣喊7nm, I皇線寬會比較小
12/04 15:15, 73F
→
12/04 15:16, 4年前 , 74F
後來I皇就出來講要比單位面積電晶體密度
12/04 15:16, 74F
推
12/04 21:06, 4年前 , 75F
這機密啥？機密是如何做到，不是原理
12/04 21:06, 75F
推
12/04 21:12, 4年前 , 76F
還有AZ已經被併購了，目前唐榮那邊主要是做面板光阻，半導
12/04 21:12, 76F
→
12/04 21:12, 4年前 , 77F
體沒那麼多
12/04 21:12, 77F
推
12/04 22:44, 4年前 , 78F
感謝
12/04 22:44, 78F
推
12/05 00:46, 4年前 , 79F
推推
12/05 00:46, 79F
推
12/05 10:28, 4年前 , 80F
負光阻用在面板的彩色濾光片比較多
12/05 10:28, 80F
推
12/05 19:30, 4年前 , 81F
推
12/05 19:30, 81F
推
12/06 08:16, 4年前 , 82F
感謝囉 之前看同機台但轉layer而有speedloss
12/06 08:16, 82F
推
12/06 14:06, 4年前 , 83F
一般台灣研發以為原理是機密?原理不是入門的基本能力
12/06 14:06, 83F
→
12/06 14:07, 4年前 , 84F
嗎？偏偏一堆台灣研發連基本原理都不太懂 才會東藏西
12/06 14:07, 84F
→
12/06 14:07, 4年前 , 85F
藏自以為是機密 哈哈
12/06 14:07, 85F
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