看板 [ Tech_Job ]
討論串[請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎?
共 2 篇文章
內容預覽： 開啟 | 關閉 | 只限未讀
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁
#2
Re: [請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎?
推噓53(56推 3噓 26→)留言85則，0人參與, 6年前最新作者negohsu (專打不專業環團)時間6年前 (2019/12/03 14:42), 6年前編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
這個問題短短的，但是認真回起來可是會變萬言書的。. 光阻(photoresist,PR)是用來定義晶圓圖案的介質，光線經過光罩.透鏡將圖案轉移至光阻上，再透過蝕刻將這層圖案轉印到底下的晶圓上，這就是簡單的半導體製作流程。. 光罩上的圖案，是由光線轉印到光阻上，那要怎樣才能讓圖案越來越 小，就是半導體
(還有1581個字)
#1
[請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎?
推噓6(19推 13噓 30→)留言62則，0人參與, 6年前最新作者newper (別當Google不存在)時間6年前 (2019/12/02 20:02), 6年前編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
因為離開晶圓廠有點久了. 而且以前也不是黃光的. 請教的問題可能很瞎. 請多包涵. 想請問7nm跟14nm用的光阻會不同嗎?. 我以前的想法是跟機台比較有關. 精度差異大的的機台可能搭配的光阻不同. 或是我也是對的，因為7nm是跳了一個難度gap. 只能適用全新技術的photo機台. 理所當然光阻也
(還有250個字)
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁