Re: 後摩爾定律 半導體的未來

看板Tech_Job作者 (忙碌的接線生)時間8年前 (2016/04/20 00:49), 編輯推噓28(33572)
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※ 引述《zcliu026 (中港阿志)》之銘言: : 剛好翻到這篇舊文 裡面有些預測現在看起來似乎有點失準 : 例如文中提到2022年 CMOS的發展就會走到物理極限11nm : 不過現在看來這個所謂的"物理極限" 很有可能在明年就可以達到 : 而且還很有機會在往下走XD : 沒有要吐槽原po的意思 畢竟以當時的觀點來看 原po說的其實算中肯 : 只是沒料到科技的發展如此神速 一切都讓人始料未及 : 有沒有專業的大大要評論一下的 zcliu026大您誤會了 ITRS 所說的 11 nm 是 "Physical gate length", 就是晶片切開來看到的真實寬度, 你提到要量產的 10 nm,只是個名字, 或者說是 "drawn gate length",電路設計時讓你畫爽的... 網路查一下,就會看到 Intel 22 nm 產品, gate pitch 是 90 nm,gate length 是 30 nm,(咦?) 22 nm 既不是 half-pitch,也不是 gate length, 只是個名字......。 事實上,gate 微縮的物理與製程問題都已經遇到了, 因此各家的 gate length 不一定照著摩爾定律縮,(每代0.7x) 甚至連 gate pitch 都沒乖乖縮, 真正照摩爾定律縮的,只有你看到名字而已。 所以,要做工程相關的討論, 還是要看真正的gate length才準。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.229.38.19 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1461084568.A.EF7.html

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等效這麼久了他還不知 何必解釋
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你講的也不是重點 摩爾定律真正要講的是成本
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poly pitch才是真正關鍵
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樓上教主
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樓上教主?
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照教主這樣講 metal pitch, fin pitch 都是關鍵
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我只是要指出不能只看世代名稱來斷定摩爾定律的存續
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樓上你講的還是不對
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摩爾定律在講的東西是成本
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metal pitch跟fin pitch對成本的影響遠不及poly pitch
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感恩教主,讚嘆教主!!我是忠實信徒!!
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教主認真說話的樣子好迷人
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你電路只畫 poly ? poly pitch 充其量只影響一個方向微縮
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你要達到微縮降成本 當然要搭配 metal 和 fin pitch
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無聊 你覺得fin pitch縮到多小可以影響inv size?
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digital flow談gate count談transistor count談poly pitch
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metal pitch跟fin pitch提到的機會都小很多 為捨摸
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自己想一下就懂惹 別自己在那邊亂猜
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去 google nature最新那篇news就有寫了
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是錢的問題XD
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the chips are down for moore's law
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的確是錢問題 摩爾定律=生產成本降低
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主要是poly pitch,但10nm以下DFF size 也會受到metal pit
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ch限制而需變大。
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04/20 07:19, , 25F
長知識
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教主別逗了... poly pitch 決定 INV cell area 的寬度
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壓縮高度就要藉由縮小 fin 與 metal pitch 來達成
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在比較各家產品時 最基本的就是先看 poly fin metal 的搭配
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04/20 07:56, , 29F
,,,,
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說中文好嗎
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板上有GG星人可以參戰嗎?
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學生我來吸經驗值了
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摩爾定律只是預測數量的成長,有管到裡面長怎麼樣,製程要
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多少nm嗎?
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什麼教主,量子處理器才是未來
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zenta 你沒碰過finfet就不要拿出來給大家笑惹
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gate height影響因素很多 fin pitch頂多mos部分y
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重點是 你覺得fin pitch很好縮嗎?
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Yodofu也懂?
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還有 31 則推文
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不等於gate length 是現實,你在這裡放再多屁也切不出14nm
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的gate length
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另外,很難縮不用你講大家都知道...fin 有深寬比的問題
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poly窄metal gate很難填,然後cut的overlay也難啊~
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foundry跟IDM現在都在成本、微縮面積、效能上想辦法平衡
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你的dff,如果NP space跟著fin pitch一樣縮10%,那結果就是
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兩個cell size都一樣縮10%啊,只是縮不同方向而已,搞笑
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zenta大講的很精闢,教主的cell architecture不及格哦
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"如果NP space跟著fin pitch一樣縮10%" 這你說縮就縮歐
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metal pitch需要跟fin pitch 有公倍數的關係,std-cell
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的高度(例如9T)又是取決於metal pitch
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然後,back-end routing area又跟metal pitch 有強烈的
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正相關
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在ARM core 的design,metal pitch 的重要性甚至大於poly
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pitch(你可以問問公司的APR工程師)
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SRT0619 我直接問你八 你今天縮fin pitch 同樣std cell
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效能能用ㄇ
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這就好笑惹 你說的是哪家的arm core
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還有不要忘惹 當代soc最佔面積的早就不是cpu core惹優
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fin pitch 通常在研發定案後就不會輕易再動了,poly pitc
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h也差不多但可以撐大,唯一自由度比較高的是metal pitch,
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跟fin number
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你說不會輕易再動的東西 那還提出來幹嘛
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實務上就是 大客戶會去嗆ploy pitch foundry就去想改
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結果就是能玩的先從poly pitch開始
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縮 poly pitch 是跟良率過不去,速度也會變慢,不是你想
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縮就可以縮
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起碼比fin pitch好談
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客戶找foundry靠北的排序 歷史上十之八九都從poly pitch
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開始吵
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整個產業客戶方這方面的人員也都從這裡開始動
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你還不覺得poly pitch比其他重要ㄇ?
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這就是客戶需要重新檢視的地方,以A9來說吧,GG poly pit
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ch 90nm, 三爽是78nm 小了15%, 數字很漂亮吧!結果呢?
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面積比GG是小了9%,但速度慢10%,良率更是一半都不到,這
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樣有比較好?
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那葛我不能講太多QQ
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S大專業 講得這麼明白
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NP space通常會跟fin pitch一起縮啊 on-grid是目前的主流
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但也會有沒 on-grid 的啦.. 你以後就知道了
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文章代碼(AID): #1N5c6Oxt (Tech_Job)
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