[新聞] 搶 2026 年NAND Flash 市場商機，中國長江存儲武漢三期將提早在下半年量產

看板Stock作者 (科斯托蘭尼)時間1天前 (2026/01/31 22:06), 編輯推噓68(78推 10噓 112→)
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原文標題：搶 2026 年NAND Flash 市場商機，中國長江存儲武漢三期將提早在下半年量產 ※請勿刪減原文標題 原文連結： https://technews.tw/2026/01/30/china-yangtze-memory-technologies-co-ltd-s-wuhan-phase-iii-project-will-begin-mass-production-ahead-of-schedule-in-the-second-half-of-the-year/ ※網址超過一行過長請用縮網址工具 發布時間：發布日期 2026 年 01 月 30 日 15:30 ※請以原文網頁/報紙之發布時間為準 記者署名：About Atkinson 多年在財經媒體的工作資歷，深入理解電子與科技產業的發展過程與趨勢，亦曾經在電子 媒體製作相關財經節目，為觀眾剖析當前最即時的財經資訊與新聞。 ※原文無記載者得留空 原文內容： 外媒報導，全球半導體競爭日趨白熱化的背景下，中國最大的 NAND Flash 快閃記憶體製 造商──長江存儲（YMTC）正以驚人的速度推進其產能擴張計畫。據最新消息指出，長江 存儲位於中國武漢的第三期投資項目正採取「史無前例」的快速建設策略，原定於2027年 才能達成的大規模量產目標，有望提前至2026年下半年正式啟動。 長江存儲的武漢三廠於2025年 9 月才正式動工，按照常規半導體建廠週期，外界原先預 估該廠要等到2027年才能具備正式量產能力。然而，來自中國當地的半導體業界人士透露 ，長江存儲近期已開始密集進行 NAND Flash 生產設備的採購訂單發送與工廠啟動設置作 業，顯示其時程表已大幅調整。 消息人士分析指出，從動工到開始量產僅歷時約一年，這在業界極為罕見。這意味著長江 存儲採取了一種彎道超車的戰略，即在工廠主體建築尚未完全完工的情況下，就同步搬入 部分設備並進行生產線的早期調試與運作。 而這種極速擴產的背後，是長江存儲為了在 NAND Flash 市場迎接超級循環週期（Super Cycle）時強化自身全球地位的精心佈局。與市場供應商相對集中的 DRAM 領域不同， NAND Flash 市場競爭者眾多，除了三星電子、SK 海力士、美光（Micron）之外，還包括 日本的鎧俠（Kioxia），以及中國的長江存儲等。儘管當前受惠於人工智慧（AI）熱潮， 市場需求壓倒性地大於供給，但由於供應商眾多，價格競爭的風險始終存在，這迫使長江 存儲必須以速度換取市場空間。 報導指出，除了產能擴張速度驚人，長江存儲在技術層面的突破同樣引發關注。近期有分 析指出，長江存儲在 NAND Flash 的生產技術實力上，已幾乎追上三星電子與 SK 海力士 等行業大廠。具體數據顯示，長江存儲目前已掌握 270 層 3D NAND Flash 的生產技術。 雖然與三星電子的 286 層及 SK 海力士的 321 層技術相比仍有微小差距，但這一鴻溝正 在被快速縮小。更為關鍵的是，受惠於長期的資本投入，以及積極延攬外部專家，長江存 儲在生產良率與穩定性方面獲得了高度評價，被認為已具備與全球領先企業一較高下的實 力。 值得注意的是，長江存儲此次積極的擴產行動，是在美國商務部將其列入實體清單（ Entity List）、嚴格限制其進口尖端製造設備的背景下進行的。儘管面臨外部制裁壓力 ，長江存儲仍於2025 年 9 月毅然啟動武漢三期工廠建設，展現了在 NAND Flash領域持 續崛起的態勢。 中國當地業者分析，長江存儲之所以選擇此時發力，是因為洞察到了競爭對手的戰略重心 轉移。一位業界人士表示，長江存儲將2026年視為擴大 NAND Flash市場占有率的黃金時 刻。其由於三星電子與 SK 海力士2026年將主要資源與重心傾斜至利潤更高的 DRAM 以及 AI 專用的高頻寬記憶體（HBM）領域，這給了長江存儲在 NAND Flash 市場攻城掠地的 絕佳機會。在技術能力提升、產能擴大，以及中國政府將其視為在地企業重點支援對象的 多重因素加持下，預計在未來 1 至 2 年內，長江存儲在全球 NAND 市場的影響力將顯著 增強。 目前，長江存儲的強勢崛起已直接反映在市場數據上。根據市場研究機構 Counterpoint Research 的統計，以 NAND 出貨量為基準，長江存儲的全球市占率在2025年第一季首度 突破 10% 大關。隨後的成長的趨勢不減，至2025年第三季，其市占率已攀升至 13%，較 前一年同期大幅成長了 4 個百分點。 這一統計資料具有里程碑意義，標誌著長江存儲的市場占比已逼近全球排名第四的美國美 光科技（Micron），顯示出中國NAND Flash的勢力正從「追隨者」向「主要玩家」的角色 轉變。因此，長江存儲透過武漢三廠的加速量產，不僅意在突破技術與貿易壁壘的封鎖， 更試圖在全球記憶體產業格局重組的關鍵窗口期，確立其不可忽視的市場地位。隨著2026 年下半年新產能的釋放，全球 NAND Flash 市場的競爭版圖恐將迎來新一輪的劇烈變動。 (首圖來源：長江存儲) 心得/評論： ※必需填寫滿30正體中文字，無意義者板規處分 長江存儲（YMTC）提前半年量產 270 層 NAND 「長江存儲的速度在告訴市場：稀缺性是假象，產能競賽才是真相。」 而目前記憶體似乎正在從「缺」轉向「過剩」。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 119.14.249.56 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1769868379.A.6EE.html
推
01/31 22:07, 1天前 , 1F
真督假督
01/31 22:07, 1F
推
01/31 22:08, 1天前 , 2F
這個是從韓國出來的新聞新聞來源根據"中國"業內人士
01/31 22:08, 2F
推
01/31 22:08, 1天前 , 3F
99華碩
01/31 22:08, 3F
→
01/31 22:10, 1天前 , 4F
AI搶的是HBM低階的讓你捲爛毛利就那樣
01/31 22:10, 4F
推
01/31 22:10, 1天前 , 5F
韓國出來的新聞可信度都很高
01/31 22:10, 5F
→
01/31 22:10, 1天前 , 6F
他的消息來源是中國業內人士
01/31 22:10, 6F
→
01/31 22:10, 1天前 , 7F
還有我真的不知道核實韓國新聞度可信度很高了..
01/31 22:10, 7F
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01/31 22:10, 1天前 , 8F
沒在過剩的 AI要更多記憶體存廢影片
01/31 22:10, 8F
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01/31 22:11, 1天前 , 9F
SSD也有壽命問題 讀寫次數有上限
01/31 22:11, 9F
→
01/31 22:13, 1天前 , 10F
糟糕，我們做的都是低階 囧
01/31 22:13, 10F
推
01/31 22:13, 1天前 , 11F
各位別被新聞騙票 抱緊處理
01/31 22:13, 11F
→
01/31 22:14, 1天前 , 12F
所以台灣做高階HBM?
01/31 22:14, 12F
推
01/31 22:19, 1天前 , 13F
台灣就是高階沒辦法，才停在這裡
01/31 22:19, 13F
噓
01/31 22:19, 1天前 , 14F
第二篇
01/31 22:19, 14F
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01/31 22:20, 1天前 , 15F
998299....
01/31 22:20, 15F
→
01/31 22:23, 1天前 , 16F
垃圾進場了
01/31 22:23, 16F
推
01/31 22:24, 1天前 , 17F
高階目前就三星、海力士和美光有能力
01/31 22:24, 17F
→
01/31 22:28, 1天前 , 18F
鬼故事+1
01/31 22:28, 18F
推
01/31 22:29, 1天前 , 19F
懂得就懂
01/31 22:29, 19F
→
01/31 22:29, 1天前 , 20F
南亞科據說要在2026弄出HBM 不過是客製化的版本
01/31 22:29, 20F
推
01/31 22:31, 1天前 , 21F
現在開始有人用AI片賺錢了 如果像短影音一樣普及
01/31 22:31, 21F
→
01/31 22:32, 1天前 , 22F
你覺得多幾個廠的產量夠嗎 只能說記憶體需求真的瘋
01/31 22:32, 22F
推
01/31 22:34, 1天前 , 23F
記憶卡蛙的天敵
01/31 22:34, 23F
推
01/31 22:37, 1天前 , 24F
台灣的記憶體廠商就類似晶片業聯電的位階
01/31 22:37, 24F
推
01/31 22:40, 1天前 , 25F
能做HBM封裝的力成應該可以上去了吧，洗很久了
01/31 22:40, 25F
推
01/31 22:41, 1天前 , 26F
這家做nand的 又不是dram...
01/31 22:41, 26F
推
01/31 22:43, 1天前 , 27F
南亞科據說要在2026弄出HBM這鬼話有能信喔
01/31 22:43, 27F
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01/31 22:43, 1天前 , 28F
OK 群聯還能漲半年
01/31 22:43, 28F
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01/31 22:43, 1天前 , 29F
不被輝達認是有個屌用 三星都努力多久才達成
01/31 22:43, 29F
噓
01/31 22:46, 1天前 , 30F
可信度很高啊，武漢真的有在建廠，跟台積一樣日夜
01/31 22:46, 30F
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01/31 22:46, 1天前 , 31F
趕工差不多啊
01/31 22:46, 31F
→
01/31 22:47, 1天前 , 32F
有什麼不能信的，大陸人比台灣更捲，國家還扶持，
01/31 22:47, 32F
→
01/31 22:47, 1天前 , 33F
比照台積建廠有很難嗎
01/31 22:47, 33F
推
01/31 22:47, 1天前 , 34F
這次騙票的不是大魔嚕
01/31 22:47, 34F
推
01/31 22:47, 1天前 , 35F
不能做HBM的較低階記憶體公司會較快被擴產或是中國
01/31 22:47, 35F
→
01/31 22:47, 1天前 , 36F
廠開卷拖垮，但做HBM的三大廠護城河就擺在那，AI伺
01/31 22:47, 36F
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01/31 22:47, 1天前 , 37F
服器需求也擺在那，如果是持有台股的要小心，持有MU
01/31 22:47, 37F
→
01/31 22:47, 1天前 , 38F
或韓國那兩家的應該還不用擔心
01/31 22:47, 38F
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01/31 22:48, 1天前 , 39F
而且人家是做nana flash
01/31 22:48, 39F
還有 121 則推文
噓
02/01 00:24, 1天前 , 161F
中文都看不懂，跟dram啥關係？眼睛擺設用？
02/01 00:24, 161F
→
02/01 00:24, 1天前 , 162F
很不符合邏輯比喻
02/01 00:24, 162F
推
02/01 00:25, 1天前 , 163F
DDR5都還沒量產是要怎麼弄HBM？
02/01 00:25, 163F
→
02/01 00:25, 1天前 , 164F
DDR5都量產了占10%營收了沒有量產怎來?
02/01 00:25, 164F
推
02/01 00:26, 1天前 , 165F
這叫造出來!聽說還被罰錢中!到時跟法官吵能潛就是造
02/01 00:26, 165F
→
02/01 00:26, 1天前 , 166F
好xd
02/01 00:26, 166F
推
02/01 00:27, 1天前 , 167F
台灣記憶體廠就爛到沒對手那種 以為多強喔
02/01 00:27, 167F
推
02/01 00:27, 1天前 , 168F
南亞科想做HBM，他有PWF嗎？
02/01 00:27, 168F
→
02/01 00:28, 1天前 , 169F
有辦法做TSV嗎？
02/01 00:28, 169F
推
02/01 00:28, 1天前 , 170F
可以潛100公尺不是造出來是啥?難道空殼可以?
02/01 00:28, 170F
→
02/01 00:28, 1天前 , 171F
還有罰錢是他延遲交貨
02/01 00:28, 171F
→
02/01 00:28, 1天前 , 172F
台灣記憶體就賠錢沒錢研發!惡性循環!這次撿到禮物XD
02/01 00:28, 172F
→
02/01 00:28, 1天前 , 173F
Wafer都做不出來，就想疊了喔
02/01 00:28, 173F
推
02/01 00:29, 1天前 , 174F
本來就應該趁這時候大賺一筆
02/01 00:29, 174F
推
02/01 00:31, 1天前 , 175F
南亞科有12吋晶圓廠
02/01 00:31, 175F
噓
02/01 00:31, 1天前 , 176F
良率？川川能讓你進美國？
02/01 00:31, 176F
→
02/01 00:31, 1天前 , 177F
DDR5蠻有可能被跳過 直接更進一階 一年前就有人試過
02/01 00:31, 177F
→
02/01 00:31, 1天前 , 178F
了 DDR5的CL很難壓 超頻到飛起來 比高階高頻DDR4差
02/01 00:31, 178F
→
02/01 00:31, 1天前 , 179F
不多 但價格跟成本根本不成對比 DDR5不至於到放棄
02/01 00:31, 179F
→
02/01 00:31, 1天前 , 180F
但可能跟windows8一樣 就很短產品壽命週期馬上就新
02/01 00:31, 180F
→
02/01 00:31, 1天前 , 181F
技術產品出來還超越
02/01 00:31, 181F
推
02/01 00:32, 1天前 , 182F
你以為有晶圓廠就能做core die嗎？
02/01 00:32, 182F
推
02/01 00:34, 1天前 , 183F
能做core die出來還要疊12層，別人在研發16層，南
02/01 00:34, 183F
→
02/01 00:34, 1天前 , 184F
亞科要從幾層開始玩？
02/01 00:34, 184F
推
02/01 00:39, 1天前 , 185F
台灣的記憶體技術落後那麼多 還想搞HBM 恩...
02/01 00:39, 185F
推
02/01 00:42, 1天前 , 186F
給台廠一點鼓勵 不要這樣 XD
02/01 00:42, 186F
推
02/01 01:09, 1天前 , 187F
再給牙科十年也生不出HBM啦 老老實實過幾年買人家
02/01 01:09, 187F
→
02/01 01:09, 1天前 , 188F
不要的技術比較實在 臺灣記憶體公司不就買過時技術
02/01 01:09, 188F
→
02/01 01:09, 1天前 , 189F
最在行嗎？
02/01 01:09, 189F
推
02/01 01:12, 1天前 , 190F
誰不知道台灣記憶體就撿人家不要的 結果股票還比做
02/01 01:12, 190F
→
02/01 01:12, 1天前 , 191F
HBM的飆
02/01 01:12, 191F
推
02/01 01:22, 1天前 , 192F
南亞科法說就說了今年開始客製化HBM啊 連EUV都買了
02/01 01:22, 192F
→
02/01 01:24, 1天前 , 193F
新聞說ban flash 跟HBM有個屁關聯
02/01 01:24, 193F
推
02/01 01:28, 1天前 , 194F
為啥不說HBM要跟韓美競爭??明眼人都知道規格沒到CC
02/01 01:28, 194F
→
02/01 01:50, 1天前 , 195F
是不是想騙我多單？
02/01 01:50, 195F
推
02/01 04:03, 1天前 , 196F
中國上勾了
02/01 04:03, 196F
推
02/01 04:10, 1天前 , 197F
好的下週加碼
02/01 04:10, 197F
推
02/01 04:26, 1天前 , 198F
建廠可以很快 甚至裝機也能很快 問題是美國現在不
02/01 04:26, 198F
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02/01 04:26, 1天前 , 199F
給他們買機台 難道中國國產化已經可以取代四大設備
02/01 04:26, 199F
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02/01 04:26, 1天前 , 200F
商了嗎？？？
02/01 04:26, 200F
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