[新聞] 三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計2022年用在3nm工藝上

看板Stock作者時間3年前 (2021/03/13 18:38), 3年前編輯推噓34(45推 11噓 48→)
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原文標題： 三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計2022年用在3nm工藝上 (請勿刪減原文標題) 原文連結： https://www.expreview.com/78337.html (請善用縮網址工具) 發布時間： 2021-3-13 09:54 (請以原文網頁/報紙之發布時間為準) 原文內容： 三星在去年年初就宣佈他們攻克了3nm工藝的關鍵技術GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，預 計會在2022年正式推出這種工藝，目前關於此工藝的消息甚少，tomshardware報導說三星 在IEEE國際集成電路會議上，三星公佈了3GAE工藝的一些細節。 https://i.imgur.com/s19YA4c.jpg
GAAFET其實有兩種，一種是使用納米線作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET，另外一種則是 以納米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效應電子晶體管MBCFET。兩種都在柵極材料所 在側面上圍繞溝道區，納米線與納米片的實現方式很大程度上取決於設計，一般而言都用 GAAFET來描述兩者。 https://i.imgur.com/exfnXbE.jpg
GAAFET其實早在1988年就出現了，這種晶體管的結構使得設計人員可以通過調節晶體管通 道的寬度來精確地對其進行調諧，以實現高性能或低功耗。較寬的薄片可以在更高的功率 下實現更高的性能，而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。在FinFET上實現類似的設 計時，工程師必須使用額外的鰭來改善性能。但是在這種情況下，晶體管通道的“寬度” 只能增加一倍或兩倍，精度不是很好，有時效率很低。 https://i.imgur.com/oPKVA8F.jpg
三星表示，與7LPP工藝相比，3GAE工藝可在同樣功耗下讓性能提高30%，同樣頻率下能讓 功耗降低50%，晶體管密度最高可提高80%。 https://i.imgur.com/SzDihmg.jpg
三星展示了首個使用MBCFET技術的SRAM芯片，這個256Gb芯片的面積是56mm2，與現有芯片 相比這個用MBCFET技術的寫入電壓降低了230mV，可見MBCFET確實能讓降低功耗。 https://i.imgur.com/oB7WDEK.jpg
SRAM其實是比較簡單的芯片，目前還沒有見到三星能用這種技術生產複製芯片的能力，但 相信給些時間三星就能解決這問題，預計3nm MBCFET製程會在2022年投產。 心得/評論： ※必需填寫滿20字 三星已經做出使用MBCFET技術的SRAM 預計3nm MBCFET製程會在2022年投產 台積電在3nm則是繼續使用FinFET也是在2022年投產 ----------------------------------發文提醒------------------------------- 1.發文前請先詳閱[新聞]分類發文規範，未依規範發文將受處份。 2.連結過長請善用 https://bit.ly/ 縮網址，連結能不能點擊者板規1-2-2處份。 3.心得/評論請盡量充實，*[m心得過短或濫竽充數將會以1-2-3&一行文規範水桶處份 4.發文請依照格式文章標明段落，不符合格式者依4-1刪文處分。 ------------------ 以上注意事項請勿刪除 違者4-1 刪文處分----------------- -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.24.109.151 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1615631908.A.D8E.html
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03/13 18:40, 3年前 , 1F
加油ㄛ
03/13 18:40, 1F
噓
03/13 18:42, 3年前 , 2F
心得懶的寫 直接抄內文
03/13 18:42, 2F
我改一下 ※ 編輯: madeinheaven (114.24.109.151 臺灣), 03/13/2021 18:45:08
噓
03/13 18:44, 3年前 , 3F
心得呵呵
03/13 18:44, 3F
噓
03/13 18:44, 3年前 , 4F
丸子
03/13 18:44, 4F
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03/13 18:46, 3年前 , 5F
GG 88
03/13 18:46, 5F
※ 編輯: madeinheaven (114.24.109.151 臺灣), 03/13/2021 18:46:48
推
03/13 18:46, 3年前 , 6F
台積電完了 三星超車
03/13 18:46, 6F
噓
03/13 18:48, 3年前 , 7F
DRAM做出來再叫我
03/13 18:48, 7F
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03/13 18:50, 3年前 , 8F
去年年初就宣佈了 今年5nm還是做不好
03/13 18:50, 8F
推
03/13 18:52, 3年前 , 9F
我大gg FinFET 就可以做3nm了
03/13 18:52, 9F
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03/13 18:53, 3年前 , 10F
台積殺手
03/13 18:53, 10F
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03/13 18:55, 3年前 , 11F
QQ GAA難度超大……良率真的不好看
03/13 18:55, 11F
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03/13 18:55, 3年前 , 12F
跟GG宣稱的7nm->3nm幅度差不多，用FinFET就夠打
03/13 18:55, 12F
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03/13 18:55, 3年前 , 13F
QQ FinFET優點是良率高成本又低
03/13 18:55, 13F
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03/13 18:56, 3年前 , 14F
QQFinFET現有製程道數會比較少…Run貨快
03/13 18:56, 14F
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03/13 18:58, 3年前 , 15F
QQ 但是GAA是未來的趨勢……
03/13 18:58, 15F
噓
03/13 18:59, 3年前 , 16F
搞個超耗電888 5奈米都做不好
03/13 18:59, 16F
推
03/13 19:04, 3年前 , 17F
台積7奈米都屌打三星3奈米
03/13 19:04, 17F
推
03/13 19:04, 3年前 , 18F
yield?
03/13 19:04, 18F
推
03/13 19:05, 3年前 , 19F
888表示：先讓我降溫吧
03/13 19:05, 19F
推
03/13 19:06, 3年前 , 20F
完了 真的被gn老蘇說中了
03/13 19:06, 20F
噓
03/13 19:12, 3年前 , 21F
等於gg幾奈米？
03/13 19:12, 21F
推
03/13 19:17, 3年前 , 22F
遇到一般的怪就開了無雙
03/13 19:17, 22F
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03/13 19:20, 3年前 , 23F
產啦，那次不產的
03/13 19:20, 23F
推
03/13 19:23, 3年前 , 24F
台積電有疑慮了
03/13 19:23, 24F
推
03/13 19:36, 3年前 , 25F
韓國三星喜歡用半成品搶先發表 然後再讓別人重新定
03/13 19:36, 25F
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03/13 19:36, 3年前 , 26F
義
03/13 19:36, 26F
推
03/13 19:40, 3年前 , 27F
記憶體跟邏輯晶片的差距到底有多大呢？
03/13 19:40, 27F
噓
03/13 19:46, 3年前 , 28F
完了，還不趕快把GG賣掉
03/13 19:46, 28F
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03/13 19:53, 3年前 , 29F
好像有搞頭
03/13 19:53, 29F
推
03/13 19:55, 3年前 , 30F
GG丸子，怕爆
03/13 19:55, 30F
推
03/13 20:03, 3年前 , 31F
三星那次不是彎道超車XD
03/13 20:03, 31F
推
03/13 20:03, 3年前 , 32F
原良率問題待改善的情況下微縮製程,等於預告爆炸...
03/13 20:03, 32F
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03/13 20:03, 3年前 , 33F
可能又要賣很便宜來搶市場了，尤其是這個成本更高
03/13 20:03, 33F
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03/13 20:04, 3年前 , 34F
只能說三星為了超前不賭命，賭徒心態，爆炸預定
03/13 20:04, 34F
推
03/13 20:06, 3年前 , 35F
如果你開無人無車6線道會撞路燈，敢開單行道？
03/13 20:06, 35F
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03/13 20:06, 3年前 , 36F
三星這種行為根本三寶
03/13 20:06, 36F
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03/13 20:12, 3年前 , 37F
只提SRAM 看來yield 沒救
03/13 20:12, 37F
還有 27 則推文
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03/13 21:28, 3年前 , 65F
後...三星不知道又要做什麼彎道超車了
03/13 21:28, 65F
推
03/13 21:29, 3年前 , 66F
難怪GG最近爬不太起來 原來是這樣
03/13 21:29, 66F
推
03/13 21:33, 3年前 , 67F
GG最近軟跟這一點關係都沒有=_>=
03/13 21:33, 67F
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03/13 21:34, 3年前 , 68F
跟美科技股回檔，資金輪轉關係還比較大，剛還看一下
03/13 21:34, 68F
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03/13 21:34, 3年前 , 69F
是不是在股版....
03/13 21:34, 69F
推
03/13 21:44, 3年前 , 70F
一堆台積利空新聞 穩了
03/13 21:44, 70F
推
03/13 21:59, 3年前 , 71F
三*真的強又有決心,資源 可怕
03/13 21:59, 71F
推
03/13 22:05, 3年前 , 72F
嗯哼 三星終於做出能匹敵台積電5奈米 2022投產
03/13 22:05, 72F
推
03/13 22:08, 3年前 , 73F
丸惹
03/13 22:08, 73F
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03/13 22:21, 3年前 , 74F
GG 7奈米屌打三星5奈米 這次3奈米要屌打幾奈米呢
03/13 22:21, 74F
推
03/13 22:23, 3年前 , 75F
想也知道產量出不來 技術宣示 炒股比較好賺
03/13 22:23, 75F
推
03/13 23:15, 3年前 , 76F
聽說三星用了這新技術 那麼設計端也要改技術 因此除
03/13 23:15, 76F
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03/13 23:15, 3年前 , 77F
非明顯比GG繼續用Fin有優勢 不然各設計廠未必有意願
03/13 23:15, 77F
推
03/13 23:25, 3年前 , 78F
語畢，哄堂大笑。
03/13 23:25, 78F
推
03/13 23:25, 3年前 , 79F
這個除非他驗證性風險量產sram，良率超過8成。這才
03/13 23:25, 79F
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03/13 23:25, 3年前 , 80F
是有機會讓ic設計業去設計
03/13 23:25, 80F
推
03/13 23:28, 3年前 , 81F
看來五奈米做不好直接放棄了
03/13 23:28, 81F
推
03/13 23:28, 3年前 , 82F
GG N3也繼續用fin 3奈米以下才會用gaa
03/13 23:28, 82F
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03/13 23:32, 3年前 , 83F
三星也是被逼得選沒辦法的辦法
03/13 23:32, 83F
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03/13 23:33, 3年前 , 84F
2020-2021的GG5nm密度良率贏太多
03/13 23:33, 84F
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03/13 23:34, 3年前 , 85F
三星繼續拼FINFET也快看不到車尾燈
03/13 23:34, 85F
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03/13 23:35, 3年前 , 86F
多數廠商能選GG本來就很難不選
03/13 23:35, 86F
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03/13 23:36, 3年前 , 87F
所以想靠良率沒把握新技術拼一下密度
03/13 23:36, 87F
推
03/13 23:37, 3年前 , 88F
GG也有改良版2nm是用FinFET做 GG向來都是穩扎穩打
03/13 23:37, 88F
→
03/13 23:38, 3年前 , 89F
沒人敢用第一代的GAA的 三星自己也不敢的
03/13 23:38, 89F
推
03/13 23:44, 3年前 , 90F
一下中芯超車，一下三星超車，GG怎還沒跌回200
03/13 23:44, 90F
推
03/13 23:45, 3年前 , 91F
GG沿用FINFET到3nm一部分是讓設計節省成本，三星
03/13 23:45, 91F
→
03/13 23:45, 3年前 , 92F
2022就要硬上GAA要看有多少廠商願意吃下來，目前好
03/13 23:45, 92F
→
03/13 23:45, 3年前 , 93F
像就省錢一哥高通有在用三星最新的而已？
03/13 23:45, 93F
推
03/13 23:46, 3年前 , 94F
可是實驗性那麼高的GAA高通敢賭？應該很多不敢把重
03/13 23:46, 94F
→
03/13 23:46, 3年前 , 95F
要的壓這上面，何況性能目前看起來跟GG5nm差不多而
03/13 23:46, 95F
→
03/13 23:46, 3年前 , 96F
已，兩年後GG5nm產量不知道多多少了
03/13 23:46, 96F
推
03/14 00:08, 3年前 , 97F
把台積電殺到400呀，哈哈
03/14 00:08, 97F
→
03/14 00:35, 3年前 , 98F
那次不贏
03/14 00:35, 98F
推
03/14 07:20, 3年前 , 99F
去年新聞今年報阿不就很突破
03/14 07:20, 99F
推
03/14 07:52, 3年前 , 100F
跟三星7比密度只多80%...
03/14 07:52, 100F
噓
03/14 14:51, 3年前 , 101F
看不懂在寫啥
03/14 14:51, 101F
推
03/14 20:37, 3年前 , 102F
樓下曲博
03/14 20:37, 102F
噓
03/14 22:04, 3年前 , 103F
Line yield 和SRAM yield多少怎麼不敢寫，笑死
03/14 22:04, 103F
→
03/14 22:16, 3年前 , 104F
喔
03/14 22:16, 104F
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