[問題] 半導體製程
本人不太懂半導體製程，故想問一下
STI填洞時會同時施加高頻RF(HF-RF)和低頻RF(LF-HF)
低頻RF可以用來促進silica膜的平坦度
請問是為什麼?? 跟材料特性有關嗎??
或是和特徵頻率的吸收有關??(例如增加SiO2的mobility之類的)
感謝!!
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