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討論串[問題] 半導體製程
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#3
[問題] 半導體製程
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者h888512 (速球勝負 + 45度角絕殺)時間12年前 (2013/10/10 16:56), 編輯資訊
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本人不太懂半導體製程，故想問一下. STI填洞時會同時施加高頻RF(HF-RF)和低頻RF(LF-HF). 低頻RF可以用來促進silica膜的平坦度. 請問是為什麼?? 跟材料特性有關嗎??. 或是和特徵頻率的吸收有關??(例如增加SiO2的mobility之類的). 感謝!!. --. ※ 發信
#2
Re: [問題] 半導體製程
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者cpt (Obstacle 1)時間17年前 (2008/10/01 08:14), 編輯資訊
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等向性蝕刻出來的是球面喔!. 元件的 feature size 是靠光罩定義的. 這是 x-y 平面上的尺寸, 理想狀況是微影成像之後就不要再動了. 所以理想的蝕刻是只吃掉 z 方向的東西 (非等向性). 非等向性越高, 能做出的結構的 aspect ratio (高度/寬度比) 越高. 這種性質在
#1
[問題] 半導體製程
推噓3(3推 0噓 1→)留言4則，0人參與, 最新作者adrian0215 (...)時間17年前 (2008/09/30 17:54), 編輯資訊
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在讀施敏的半導體製程時. 在提到濕式化學蝕刻(等向性)與乾性物理蝕刻(非等向性). 認為非等向性是一種優點???. 可是等向性不是得到很整齊的邊緣嗎???. 為什麼這個章節認為非等向性的輪廓是一種優點呢??. 感謝回答. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 210.
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