Re: [請益] 半導體的 Fermi level？
※ 引述《huges0111 (okok)》之銘言：
: ※ 引述《rooket (rooket)》之銘言：
: : 金屬材料的Fermi level可由光電效應得實驗定出
: : 在Ef的地方 電子的分佈會有個 cut-off
: : 但是對於半導體而言
: : 在Fermi level的位置（？） 並沒有density of state的存在
: : 電子的機率都幾乎為零 所以看不到cut-off 的分布
: : 我的問題是 Fermi level的定義若是：在基態時 電子填到最高的位置
: : 那半導體的Fermi level為何會定在 gap 中呢？
: : 為何不是定在 能量低於 gap的能帶上呢？？
: : 如果 Ef 落於 gap 中 那要如何準確的定出Ef呢？
: 你所說的Fermi level定義是指溫度在0 K的時候
: 在不是0 K時，Fermi level是指在此位置找到電子的機率是0.5
: 雖然在gap中不會有電子存在
: 不過因為半導體不會是純的，有intrinsic carrier concentration
: 所以即使在沒有doping的情形下，conduction band也會有電子存在(雖然很少)
: 這樣一來, fermi level就會移到gap中
: 要找fermi level,照定義即可
: n=1/[1-exp((E-f)/kT)]
想請問一下...
因為還是有些不太了解:
(1)在0K時，就intrinsic Si而言，
電子最高不是填到"價帶"的頂端嗎?
在大於0K後，會有部份電子跑到傳導帶。
(2)如果說EF是指0K時，電子可填入的最高能階，
那不就有部份電子的能量，是坐落於Eg裡面(i.e. VB<電子能量<EF)??
希望強者能幫小弟解惑，感恩!!!
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