討論串[請益] 半導體的 Fermi level?
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推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者fortissimo (fortissimo)時間15年前 (2010/05/25 22:31), 編輯資訊
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在我印象裡面. 固態物理對Fermi energy有定義是在0K之下電子排到最高能階的能量. 但是大於0K的Fermi energy其實嚴格上來說應該是Chemical potentail. 對Chemical potentail來說這是一種由Fermi statistic來的概念. 應該沒有最高能

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者andy760411 (氣度才是最重要滴)時間15年前 (2010/05/25 22:22), 編輯資訊
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想請問一下.... 因為還是有些不太了解:. (1)在0K時,就intrinsic Si而言,. 電子最高不是填到"價帶"的頂端嗎?. 在大於0K後,會有部份電子跑到傳導帶。. (2)如果說EF是指0K時,電子可填入的最高能階,. 那不就有部份電子的能量,是坐落於Eg裡面(i.e. VB<電子能量<

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者huges0111 (okok)時間16年前 (2010/03/03 19:48), 編輯資訊
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你所說的Fermi level定義是指溫度在0 K的時候. 在不是0 K時,Fermi level是指在此位置找到電子的機率是0.5. 雖然在gap中不會有電子存在. 不過因為半導體不會是純的,有intrinsic carrier concentration. 所以即使在沒有doping的情形下,c

推噓0(0推 0噓 3→)留言3則,0人參與, 最新作者rooket (rooket)時間16年前 (2010/03/03 17:09), 編輯資訊
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金屬材料的Fermi level可由光電效應得實驗定出. 在Ef的地方 電子的分佈會有個 cut-off. 但是對於半導體而言. 在Fermi level的位置(?) 並沒有density of state的存在. 電子的機率都幾乎為零 所以看不到cut-off 的分布. 我的問題是 Fermi l
(還有12個字)
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