[請益] 半導體的 Fermi level？
金屬材料的Fermi level可由光電效應得實驗定出
在Ef的地方 電子的分佈會有個 cut-off
但是對於半導體而言
在Fermi level的位置（？） 並沒有density of state的存在
電子的機率都幾乎為零 所以看不到cut-off 的分布
我的問題是 Fermi level的定義若是：在基態時 電子填到最高的位置
那半導體的Fermi level為何會定在 gap 中呢？
為何不是定在 能量低於 gap的能帶上呢？？
如果 Ef 落於 gap 中 那要如何準確的定出Ef呢？
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