Re: [情報] MSI 微星 HD4830「R4830-T2D512」降價通知

看板PC_Shopping作者 (港都狼仔)時間15年前 (2009/01/09 00:34), 編輯推噓27(27024)
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※ 引述《wahaha99 (此方不可長)》之銘言: : 借這個標題偷問一下 : 什麼叫做 n+1 相... +1是哪來的? @@ : 如果那是記憶體的... 根本就無關了吧? : ---- : 2相併聯的偽四相... 應該也是能增加電流? : 有什麼其他的缺點嗎? 大概是從AM2板子沿用過來的,AMD CPU除了Vcore VRM外,還有多一組Vtt(不確定) VRM 所以稱為X+1相。 照理說顯示記憶體供電應該要分開算的,現在會這樣說除了上面原因外,比較好聽也可能 至於電感並聯,本質還是二相,每項負擔一半的輸出時間,比起四相每相負擔1/4時間 對MOSFET的應力(電流、熱等),二相自然是比四相大的多。 電感並聯可以縮小電感體積,降低電感阻抗產生的發熱及損失等等。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 211.74.131.134

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推狼大
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先推 不然別人會知道我看不懂
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專業狼大
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推了還是看不懂
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五樓超帥的
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六樓超帥的
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接下來推文的都帥爆了
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我還以為偽4相是連MOS也併聯 XD 想說這樣不是MOS還要配對
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CD結束 恩~我也不錯唷^.<
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我很NICE唷 \(^▽^)/
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還好我還看的懂一點
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我發現到 金牛座的都很帥且人都很好
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MOS本身屬於多數載子,加上接面為負溫度係數,同規格並聯
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並不需要特別配對,只需注意寄生振盪問題
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VRM擴充輸出電流最簡單就是每相HS/LS採並聯,2HS-2LS配置
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嘖嘖~樓上自肥推文 XDD
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我發現到 金牛座的都很帥且人都很好
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了解... 原來MOS的負溫度係數在這好用 XD
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其實一顆mos就可以1H1L了...K7時代出現過
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好像是青雲的?
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脫離這些原理好多年 要看懂還要看些書 XD
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簡單講並連就是利於超頻?
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1顆MOS做HL/SL? @@ 真的假的
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打錯 HS/LS = =
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CD又結束了 來去睡覺 以前電子電路學很好睡...
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XD...
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當時是一顆MOS配一顆開關二極體,現在用mos取代二極體
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時代在進步
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所以稱為同步交換降壓電路
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喔喔 對喔 這架構真的被遺忘到腦海深處了....
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那顆二極體還建議用蕭特基的對吧....
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QQ 看來想要走這行 還是得多擁抱史密斯
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SBD還不夠快,是用比較快的超快速二極體或開關二極體
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業界跟書本上的其實還是有段差距
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阿啦 我以為蕭特基沒有什麼什麼區所以已經是最快的了 @@
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QQ 超快速二極體 之前買一根12元
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耐壓800V 電流3A
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這樣壓 QQ 這樣比較安心了
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SBD好處是導通壓降小,也是多數載子半導體
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唉 當初學好就不要在這邊血尿上班了....
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我找到了,狼大看一下是不是下面這張圖片
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專業推....
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之前技嘉965 DQ6似乎就開始搞Virtual 12的把戲...
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那 PSU 可以這樣玩嗎 XD
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http://tinyurl.com/6ohldc 這邊有偽12相的解釋
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技嘉他們家一直都是這樣玩
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好專業,快推...
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要看懂本來就要多看書XD 來看看INTEL的PAPER吧
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史密斯電子學 計算機組織 只是基本而已XD
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電子學修完去實驗室做專題一樣看不懂阿= =
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文章代碼(AID): #19PYinYZ (PC_Shopping)