製程-SOP

看板NTUEE-MBElab作者SPKing (我是老大)時間15年前 (2008/10/09 00:45)推噓5(5推 0噓 2→)

留言7則, 5人參與討論串1/3 (看更多)

1。 CLEAN：丙酮 / 90 oC / 5 min 甲醇 / 90 oC / 5 min 水 / *吹乾即可 2。光阻： LOR / 4000 rpm / 40 s 軟烤 / 120 oC / 5 min S1813 / 1000 rpm / 10 s / 4000 rpm / 40 s 軟烤 / 90 oC / 5 min *別照到白光 3。曝光： mask-1 / 170 W / 15~20 s 4。顯影： mf-319 / 40 s~ 水 / *吹乾 5。鍍金： N-type AuGeNi / 1500 A / 1~2 A/s Au / 3000 A / 3~5 A/s P-type Ti / 200 A / ~1 A/s Pt / 300 A / 1 A/s Ti / 200 A / ~1 A/s Au / 3000 A / 3~5 A/s 6。 Lift-：丙酮 / 振洗 / 10 min off 顯影液 / 振洗 / 10 min 水 / *吹乾 7。 CLEAN： repeat STEP 1。 ----中場休息分隔線，通常稱以上為第一道製程，以下第二道---- 8。熱退火： RTA / 380 oC / 5 min 9。 CLEAN： repeat STEP 1。 10。光阻： S1813 / 1000 rpm / 10 s / 4000 rpm / 40 s 軟烤 / 90 oC / 5 min *別照到白光 11。曝光： mask-2 / 170 W / 15~20 s 12。顯影： mf-319 / 40 s~ 水 / *吹乾 13。iso- ：蝕刻液 / P+I厚度~ / 20 s ++*一邊量厚度，算速率 late GaAs蝕刻配方 => 硫酸：雙氧水：水 1 ： 1 ：8 InGaP蝕刻配方 => 鹽酸：水 1 ： 1 14。CLEAN： repeat STEP 1。 --完成。黃色字體部分表示每次做都要抓參數~隨時調整時間。要考核機台=>曝光機、e-gun、suface profiler。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.132.208.131 ※ 編輯: SPKing 來自: 220.132.208.131 (10/09 00:50)

推

shoau

10/09 19:15, , 1^F

10/09 19:15, 1^F

推

shum

10/09 21:53, , 2^F

10/09 21:53, 2^F

推

tniop

10/10 01:40, , 3^F

10/10 01:40, 3^F