Re: [問題] 有關負型光阻KMPR曝光一事
※ 引述《allenwey (催眠...我很帥的！)》之銘言：
: 標題: [問題] 有關負型光阻KMPR曝光一事
: 時間: Tue Oct 11 00:06:35 2011
:
: 不知道這裡的各位，有人使用過KMPR這支光阻嗎？
: 因為目前實驗碰到了怪事 = =
:
: KMPR厚度約30um左右，曝光尺寸最小為13um的洞，
: 泂跟洞之間最小間距約50um！
:
: 製程條件如下：
: 軟烤…85C 5min+110C 5min
: 曝光…650mJ/contact mode
: 曝後烤…110C 5min
: 顯影…4min SU-8 develop
:
: --
: ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
: ◆ From: 61.216.231.235
: 推 spp100:光阻沒塗平唷~~ 10/11 10:15
: → spp100:基板磨的不夠平 or 光阻稀釋混合不均勻 10/11 10:16
: → spp100:軟烤完 不定點螺旋測厚尺規量一下厚度 看差多少 10/11 10:19
: → allenwey:請問，光阻沒塗平？怎麼說啊？ 10/11 13:40
: → allenwey:光阻塗完後，有用a-step量測厚度 10/11 13:45
: → allenwey:最大?最小約在5~10um之間 10/11 13:46
: → allenwey:以厚膜光阻塗佈來說，落差這樣算可嗎？ 10/11 13:48
: 推 quaintness:30um差5~10um 還蠻糟的...曝光怎麼會均勻?! 10/11 18:51
不好意思...
想請問一般厚膜光阻，有關spin coater的參數要怎麼設定？
才能得到較均勻的厚度？
我的設定是：
第一段轉速 800rpm, 1000rpm/s, 30sec
第二段轉速 0rpm, 0rpm/s, 5-10sec
第三段轉速 1300rpm, 1000rpm/s, 30sec
第二段主要用意是要讓光阻有時間流動，才做高速旋轉！
不過光阻倒完後，旋完後，光阻倒下去的那團印子，還是很明顯..
烘烤完印子還是略見...導致厚度均勻性變差@@
該如何設定轉速，厚度均勻性比較好？
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◆ From: 101.8.23.196
推
10/14 20:43, , 1F
10/14 20:43, 1F
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10/14 20:44, , 2F
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推
10/14 20:46, , 3F
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推
10/14 20:48, , 4F
10/14 20:48, 4F
→
10/15 11:42, , 5F
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10/15 11:45, , 6F
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推
10/15 13:11, , 7F
10/15 13:11, 7F
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10/15 13:12, , 8F
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10/15 13:12, , 9F
10/15 13:12, 9F
推
10/15 13:14, , 10F
10/15 13:14, 10F
討論串 (同標題文章)
本文引述了以下文章的的內容：
完整討論串 (本文為第 2 之 2 篇)：