[問題] 有關負型光阻KMPR曝光一事
不知道這裡的各位，有人使用過KMPR這支光阻嗎？
因為目前實驗碰到了怪事 = =
KMPR厚度約30um左右，曝光尺寸最小為13um的洞，
泂跟洞之間最小間距約50um！
製程條件如下：
軟烤…85C 5min+110C 5min
曝光…650mJ/contact mode
曝後烤…110C 5min
顯影…4min SU-8 develop
顯影後卻常常發生不定點的洞內曝光或顯影不良？
就是該圓孔的洞型狀有出來，但底部卻有疑似光阻的殘留…
有時候整片檢查都無發現，但有時卻會冒出幾個 = =
無論如何補顯影都不效…
只有使用RIE可以去除，因此應該是高分子的殘留？
推測是光阻或顯影液之類…？
因為是不定點發生，目前懷疑的可能有：
1、底材的影響 前層為NiCo電鍍面，經過研磨整平後，才會做下一層黃光，
懷疑是底材的問題造成？
2、光阻稀釋 因為實驗室只有KMPR 1035，故用稀釋的方式，轉速1300rpm，
可以到厚度30um左右，懷疑是稀釋造成？
3、顯影問題 為手動至入燒杯顯影，顯影後使用IPA沖洗，故懷疑顯影到IPA
的過程中，有顯影或沖洗不均勻的問題？
會有以上幾點懷疑，主要是發生位置都是不定點 = =||
所以會有上述的可能性，才有機會造成？？
不知道有經驗的各位，有沒有小弟忽略的地方呢？
已經快被這給未知的問題搞瘋了 @@
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