看板 [ Electronics ]
討論串[問題] 使用medici模擬NMOS的問題
共 5 篇文章
內容預覽： 開啟 | 關閉 | 只限未讀
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁
#5
Re: [問題] 使用medici模擬NMOS的問題
推噓1(1推 0噓 3→)留言4則，0人參與, 最新作者koal (嚕啦啦)時間18年前 (2007/05/24 01:30), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
關於Vth的問題，大概可以確定是因為EXTRACT指令的關係了，. EXTRACT只能用在線性區域，如果用在非線性區域就會產生誤差，. 這就是為什麼會有Vd↑，Vth↑的奇怪結果。. 另外，在做模擬的時候，1μm的通道長度其實還是會發生些許DIBL的，. 只是沒有短通道來得嚴重。. 謝謝大家熱心的討
#4
Re: [問題] 使用medici模擬NMOS的問題
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者turco (轉吧SILVACO)時間18年前 (2007/05/20 19:34), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
Channel length為1μm屬於長通道了，Vd=1.5V應該不會有DIBL. 你可以把你的model跟抽Vth的方式PO上來大家一起討論看看嚕. ※ 引述《Sai000 (╮(-_-)╭)》之銘言：. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 220.139.21
#3
Re: [問題] 使用medici模擬NMOS的問題
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者koal (嚕啦啦)時間18年前 (2007/05/20 16:00), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
首先，感謝各位版友詳細的回答：）. 不過目前奇怪的地方是. DIBL的效應是Vd↑，Vth↓. 但目前模擬出來的結果則是Vd↑，Vth↑. 我不知道有什麼機制會產生這樣的結果。. 我猜會不會是medici本身，因為EXTRACT指令使用線性逼近算Vth而導致的錯誤. 不過因為不太了解程式的量測方式，
(還有3個字)
#2
Re: [問題] 使用medici模擬NMOS的問題
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者Sai000 (╮(-_-)╭)時間18年前 (2007/05/20 15:23), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
很開心找到個也是用TCAD進行模擬的同伴. 如果有問題 不妨可以交流交流^^. 廢話不多說 剛剛某版友已提出最主要的關鍵解答DIBL效應. 不才在下為了多賺點P幣 就詳細的說明一下. 如有不明白或不正確的地方 煩請各版友提點 <(_ _)>. MOSFET元件的閘極電壓小於臨限電壓時，基板在源極與汲
(還有170個字)
#1
[問題] 使用medici模擬NMOS的問題
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者koal (嚕啦啦)時間18年前 (2007/05/19 12:39), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
各位版友好，. 我在使用medici模擬NMOS的時候，. 在不同的Vd下，計算出來的Vth也不同，. 請問有沒有人知道原因呢？. 通道長度：1μm. 接面厚度(junction):0.34μm. Na：3E16. 氧化層厚度：0.025μm. 問題：Vd=0.5 Vth=0.4. Vd=1.5 V
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁