Re: [問題] 使用medici模擬NMOS的問題
※ 引述《koal (嚕啦啦)》之銘言：
: 各位版友好，
: 我在使用medici模擬NMOS的時候，
: 在不同的Vd下，計算出來的Vth也不同，
: 請問有沒有人知道原因呢？
: 通道長度：1μm
: 接面厚度(junction):0.34μm
: Na：3E16
: 氧化層厚度：0.025μm
: 問題：Vd=0.5 Vth=0.4
: Vd=1.5 Vth=1
: 謝謝大家
很開心找到個也是用TCAD進行模擬的同伴
如果有問題 不妨可以交流交流^^
廢話不多說 剛剛某版友已提出最主要的關鍵解答DIBL效應
不才在下為了多賺點P幣 就詳細的說明一下
如有不明白或不正確的地方 煩請各版友提點 <(_ _)>
MOSFET元件的閘極電壓小於臨限電壓時，基板在源極與汲極之間會形成一位能障，
以限制電子由源極流向汲極。在長通道元件中，汲極接面處的空乏層寬度並不會
影響位能障高度(barrir height)；然而，當短通道MOSFET的汲極電壓增加時，因
為空乏層與位能障高度過度接近，使得源極和通道之間的能障下降。
在源極與通道間的表面能障會有個下降量，
這就是所謂的汲極引發能障衰退(Drain Induced Barrier Lowering DIBL)。
如此一來，則會有過量的載子電荷注入通道中，引起次臨限電流的增加，
而造成在短通道元件中，臨限電壓會隨著汲極電壓的升高而下降。
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◆ From: 140.125.31.73
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