Re: [問題] 使用medici模擬NMOS的問題
首先，感謝各位版友詳細的回答：）
不過目前奇怪的地方是
DIBL的效應是Vd↑，Vth↓
但目前模擬出來的結果則是Vd↑，Vth↑
我不知道有什麼機制會產生這樣的結果。
我猜會不會是medici本身，因為EXTRACT指令使用線性逼近算Vth而導致的錯誤
不過因為不太了解程式的量測方式，所以也沒辦法做確定，
現在是想試試看其他方法像gm max或經驗法則去算出Vth。
真的很謝謝大家熱心回答，如果有其他想法也請不吝提供出來：）
※ 引述《Sai000 (╮(-_-)╭)》之銘言：
: ※ 引述《koal (嚕啦啦)》之銘言：
: : 各位版友好，
: : 我在使用medici模擬NMOS的時候，
: : 在不同的Vd下，計算出來的Vth也不同，
: : 請問有沒有人知道原因呢？
: : 通道長度：1μm
: : 接面厚度(junction):0.34μm
: : Na：3E16
: : 氧化層厚度：0.025μm
: : 問題：Vd=0.5 Vth=0.4
: : Vd=1.5 Vth=1
: : 謝謝大家
: 很開心找到個也是用TCAD進行模擬的同伴
: 如果有問題 不妨可以交流交流^^
: 廢話不多說 剛剛某版友已提出最主要的關鍵解答DIBL效應
: 不才在下為了多賺點P幣 就詳細的說明一下
: 如有不明白或不正確的地方 煩請各版友提點 <(_ _)>
: MOSFET元件的閘極電壓小於臨限電壓時，基板在源極與汲極之間會形成一位能障，
: 以限制電子由源極流向汲極。在長通道元件中，汲極接面處的空乏層寬度並不會
: 影響位能障高度(barrir height)；然而，當短通道MOSFET的汲極電壓增加時，因
: 為空乏層與位能障高度過度接近，使得源極和通道之間的能障下降。
: 在源極與通道間的表面能障會有個下降量，
: 這就是所謂的汲極引發能障衰退(Drain Induced Barrier Lowering DIBL)。
: 如此一來，則會有過量的載子電荷注入通道中，引起次臨限電流的增加，
: 而造成在短通道元件中，臨限電壓會隨著汲極電壓的升高而下降。
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