Re: [問題]差動對輸入MOS在weak inversion的好處?
※ 引述《woko (孤.獨.一.痕)》之銘言：
: 最近拿到一些學長的OP設計範例,
: 發現在設計differential pair的輸入電晶體時,
: 有幾乎一半以上的例子都沒有把這兩顆MOS設計在飽和區,
: 上網查資料還有爬一下本版的相關討論,
: 好像有提到這種做法是為了降低功率,
: 請問低功率是這種設計的唯一好處嗎?
: (因為gain好像會降低不少)
weak inversion:
W/L很大，電流相對小
優點：gm/ID很大，頻寬比較寬，gain比較大，VGS比較小
缺點：W/L較大導致寄生電容大，model較無涵蓋，製程品質不好的model可能會fail
offset主要由VTH決定，相較於strong inversion較大
: 另外只有differential pair的輸入電晶體能設計在非飽和區嗎?
: 如果是第二級輸入電晶體設計在非飽和區可行嗎?
: 希望有相關經驗的人能給一些提示,
: 感謝!!
triode region的gds比較大，gai會狂掉
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.64.172.166
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1432143095.A.3F3.html
推
05/21 09:27, , 1F
05/21 09:27, 1F
→
05/21 09:28, , 2F
05/21 09:28, 2F
→
05/21 09:29, , 3F
05/21 09:29, 3F
→
05/21 09:30, , 4F
05/21 09:30, 4F
不正確，strong 跟weak inversion都屬於非triode region
一般來講你維持VDS > VDsat這個參數就好
通常是建議150mV，當然你VDS越大ro還是會越好
只是小於150mV會開始狂掉
推
05/21 14:05, , 5F
05/21 14:05, 5F
推
05/22 11:30, , 6F
05/22 11:30, 6F
→
05/22 11:31, , 7F
05/22 11:31, 7F
推
05/22 21:47, , 8F
05/22 21:47, 8F
weak inversion = large gm/ID
同樣電流換到比較多的gm，以gm的腳度來講頻寬當然是變寬
但是你去加大L會造成寄生效應增加 weak inversion不一定是萬靈丹
※ 編輯: jamtu (61.64.172.166), 05/23/2015 03:29:50
※ 編輯: jamtu (61.64.172.166), 05/23/2015 03:34:50
推
05/23 12:44, , 9F
05/23 12:44, 9F
推
05/23 12:51, , 10F
05/23 12:51, 10F
推
05/23 12:53, , 11F
05/23 12:53, 11F
→
05/23 12:54, , 12F
05/23 12:54, 12F
→
05/23 12:55, , 13F
05/23 12:55, 13F
→
05/23 12:56, , 14F
05/23 12:56, 14F
討論串 (同標題文章)
本文引述了以下文章的的內容：
完整討論串 (本文為第 2 之 2 篇)：