Re: [問題] mos 的 Id-vd圖??
※ 引述《gn01501838 (gn01501838)》之銘言：
: 我的VG=0.5 1 1.5 2V
: 繪製出ID-VD圖時
: 發現2V到1.5V的距離比1.5V到1V的距離 還要小
: 也就是說每條線間的距離越來越大(從2V~0.5V)
: 請問這是有什麼特殊意義嗎??
請從Id的公式來分析 ^^
: 再問一個小問題
: punch through 通常是發生在什麼時候??
: 會發生在小的操作電壓嗎(vg=0.5v)
: 應該是電壓越大越容易發生??
: 感謝大大
不是Vg，是Vd。
Drain端的電壓加到某個值之後，在Drain端的空乏區會由通道延伸到Source端。
此時，只要一個小小的drain電壓增加就會引起Id快速的增加。
ps.這是其中一種MOSFET的崩潰效應(breakdown effect)。
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