[問題] mos 的 Id-vd圖??

看板Electronics作者 (gn01501838)時間12年前 (2013/05/06 20:15), 編輯推噓0(0推 0噓 0→)
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我的VG=0.5 1 1.5 2V 繪製出ID-VD圖時 發現2V到1.5V的距離比1.5V到1V的距離 還要小 也就是說每條線間的距離越來越大(從2V~0.5V) 請問這是有什麼特殊意義嗎?? 再問一個小問題 punch through 通常是發生在什麼時候?? 會發生在小的操作電壓嗎(vg=0.5v) 應該是電壓越大越容易發生?? 感謝大大 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.17.34
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