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討論串[問題] mos 的 Id-vd圖??
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Re: [問題] mos 的 Id-vd圖??
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間12年前 (2013/05/07 12:40), 編輯資訊
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請從Id的公式來分析 ^^. 不是Vg，是Vd。. Drain端的電壓加到某個值之後，在Drain端的空乏區會由通道延伸到Source端。. 此時，只要一個小小的drain電壓增加就會引起Id快速的增加。. ps.這是其中一種MOSFET的崩潰效應(breakdown effect)。. --. ※
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[問題] mos 的 Id-vd圖??
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者gn01501838 (gn01501838)時間12年前 (2013/05/06 20:15), 編輯資訊
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我的VG=0.5 1 1.5 2V. 繪製出ID-VD圖時. 發現2V到1.5V的距離比1.5V到1V的距離 還要小. 也就是說每條線間的距離越來越大(從2V~0.5V). 請問這是有什麼特殊意義嗎??. 再問一個小問題. punch through 通常是發生在什麼時候??. 會發生在小的操作電壓
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