Re: [問題] NMOS GS間 並聯10K電阻??
是米勒效應沒錯
不過 你搞錯MOSFET充放電的行為了
在MOSFET turn on時:
Vgs對Cgs與Cgd充電，因為你要讓Drain端達到0伏，才可以Turn On
所以細部來說你的Drive是對Cgs與Cgd充電
Turn Off時
通常會Rg並一個反向Diode放電，它不是用Rgs放電，因為太慢了（如果你放10k）
Rgs放10K~4.7K之間是為了
1.當你Vgs=OＶ時，這時候Drain是高壓（Trun Off情況）
高壓的D 會對Cgs透過Cgs充電，這時候如果你沒有放一個落地電阻Rgs
G腳會被誤動過抬高，如果一不小心處發Vth 你MOSFET就會誤動作Turn ON
但是MOSFET應該是Off狀態，就會出事情
所以需意一個10~4.7K等級的落Ｓ腳電阻
2.在Vgs=15V左右 Turn ON時，一個落地電阻Rgs
有助於15V IC Driver送到Gate端的穩定電位（相對S腳)
※ 引述《sad77121 (沒人愛)》之銘言：
: 電力電子
: 通常MOS的驅動電路基本的都是串一個小電阻在閘極(約10~幾十歐姆)
: 在G到地間再加一個10~20K的電阻
: 小電阻可以限制電流，但不能選太大因為會讓MOS反應變慢，這可以理解
: MOS對Cin充放電，控制閘極電壓
: G到地間那個電阻我就不太懂意思了
: 書上都寫說是因為要對閘極的靜電荷放電
: 爬文大家都說如果沒加MOS很容易燒毀
: 我後來回去翻電子學
: 也是想了很久
: 我猜是米勒效應，一開始MOS要導通得時候對Cin(Cdg+Cgs)充電
: 當Vg衝超過Vth(門限電壓)，MOS導通，Vd下降，此時Cdg開始放電，使Vgs充電速率減緩
: MOS off得時候同理
: Cin放電，Vg下降降到Vth時MOS off，Vd很快上升，對Cdg充電，沒這路徑的話Cdg會對Cgs
: 充電
: 導致短暫的2次導通。
: 我想10K~20K這樣的放電路徑會不會R太大了
: 用1K或幾百的不好嗎
: 還有這樣的話為什麼MOS會有燒毀的危險?
: 還是我的想法想錯了?
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