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討論串[問題] NMOS GS間 並聯10K電阻??
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Re: [問題] NMOS GS間 並聯10K電阻??
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者WeCanGo (信念)時間13年前 (2012/11/03 00:26), 編輯資訊
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是米勒效應沒錯. 不過 你搞錯MOSFET充放電的行為了. 在MOSFET turn on時:. Vgs對Cgs與Cgd充電，因為你要讓Drain端達到0伏，才可以Turn On. 所以細部來說你的Drive是對Cgs與Cgd充電. Turn Off時. 通常會Rg並一個反向Diode放電，它不是用
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[問題] NMOS GS間 並聯10K電阻??
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者sad77121 (沒人愛)時間13年前 (2012/11/02 03:01), 編輯資訊
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電力電子. 通常MOS的驅動電路基本的都是串一個小電阻在閘極(約10~幾十歐姆). 在G到地間再加一個10~20K的電阻. 小電阻可以限制電流，但不能選太大因為會讓MOS反應變慢，這可以理解. MOS對Cin充放電，控制閘極電壓. G到地間那個電阻我就不太懂意思了. 書上都寫說是因為要對閘極的靜電荷
(還有181個字)
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