[問題] NMOS GS間 並聯10K電阻??
電力電子
通常MOS的驅動電路基本的都是串一個小電阻在閘極(約10~幾十歐姆)
在G到地間再加一個10~20K的電阻
小電阻可以限制電流，但不能選太大因為會讓MOS反應變慢，這可以理解
MOS對Cin充放電，控制閘極電壓
G到地間那個電阻我就不太懂意思了
書上都寫說是因為要對閘極的靜電荷放電
爬文大家都說如果沒加MOS很容易燒毀
我後來回去翻電子學
也是想了很久
我猜是米勒效應，一開始MOS要導通得時候對Cin(Cdg+Cgs)充電
當Vg衝超過Vth(門限電壓)，MOS導通，Vd下降，此時Cdg開始放電，使Vgs充電速率減緩
MOS off得時候同理
Cin放電，Vg下降降到Vth時MOS off，Vd很快上升，對Cdg充電，沒這路徑的話Cdg會對Cgs
充電
導致短暫的2次導通。
我想10K~20K這樣的放電路徑會不會R太大了
用1K或幾百的不好嗎
還有這樣的話為什麼MOS會有燒毀的危險?
還是我的想法想錯了?
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