Re: [問題] 如何計算cell-based實現的IC gate coun …

看板Electronics作者 (我是好牛肉)時間14年前 (2010/07/17 01:17), 編輯推噓1(100)
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※ 引述《zxvc (眾生都是未來佛)》之銘言: : [恕刪] : : 推 ilovepachaya:Total cell area 去除 有加上net的面積不可信 07/15 17:15 : : → ilovepachaya:計算gate count並不是所有都是除以10 算法應該是 07/15 17:16 : : → ilovepachaya:除上該design kit的NAND gate的面積 如記得沒錯T18 07/15 17:16 : : → ilovepachaya:ARM design的NAND gate X1倍的 剛好是面積10um^2 07/15 17:17 : [恕刪] : Design Compiler所report的area並不是以um^2為單位,而是site。 : 所以ARM/TSMC 0.18um CBDK的2-inputs NAND的10是指sites。 : 我曾經為了一個area不大(相對pad的數量)的design, : 在做layout前作頗精確的估測。照我的估測下去lay, : bonding pad應該不會有DRC error。 : 但lay到後來發現居然誤差非常大,會有DRC error。 : 後來我看IC Compiler report_placment_utilization : 的report,才知道為什麼了。 : 105574 cells, (non-fixed:105574 fixed:0) 恕刪 site的部分指的是"每個單位格" 我們都知道standard cell都是擺在cell的row上,並且有等高不等寬的特性 所以在technology file (.tf)會定義一個"單位格"有多大 在technology file(.tf)叫做unit tile也可以叫她site 想知道這個大小多少,打開technology file(.tf)後,收尋字串 "unit tile" 就可知 在ICC使用report_placment_utilization指令所產生的結果他是以site的型式report出 也就是說他並不是report面積,而是report出您在這個design使用了多少個"site" 而不管在DC或是ICC使用report_area都是report出真實的面積 (題外...使用report_design -phtsical可以report出目前的utilization) 以某個製程的standard cell來說 它的unit tile(site)為 h=2.8um w=0.28um 然後做一個測試 我要lay一個macro,這個macro裡面只用了一個nand gate(ND2X1) 將netlist讀進ICC或DC 使用report_area會report出area=3.1xxx um^2 但是在ICC使用report_placment_utilization 則會report出ND2X1這個cell使用了4個site 使用ICC將該standard cell的milkyway打開後,並將ND2X1這個cell打開 用尺量一量會發現他的大小為w=1.12 h=2.8 1.12um*2.8um=3.1xxxum^2 1.12um/0.28um=4 site 最後再題外 其時gate count也只是個大概而已 只是計算您的design內的standard cell的面積約等校於多少個NAND gate 文章打到後來自己也不知道自己在打什麼 剛喝了點酒 如有打字錯誤請多見諒 再題外 tool怎麼算utilization,大約如下 (standard cell area + macro cell area)/(core area) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 125.232.76.142 ※ 編輯: ilovepachaya 來自: 125.232.76.142 (07/17 01:27)

07/17 02:45, , 1F
不好意思可以借題請問一下macro的意思是什麼嗎?
07/17 02:45, 1F
修打字錯誤 0.0 ※ 編輯: ilovepachaya 來自: 219.87.160.146 (07/19 06:21)
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