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討論串[問題] 如何計算cell-based實現的IC gate coun …
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#4
Re: [問題] 如何計算cell-based實現的IC gate coun …
推噓0(0推 0噓 5→)留言5則，0人參與, 最新作者zxvc (眾生都是未來佛)時間15年前 (2010/07/17 10:55), 編輯資訊
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剛才我又調查了我之前用CIC/ARM/TSMC 0.18um CBDK的設計。. 發現ICC report_cells的面積單位居然是um^2 XD. CBDK_TSMC018_Arm_v3.1/CIC/doc/tsmc18.pdf的p.p 130有寫. NAND2XL的面積是5.04um*1.98
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#3
Re: [問題] 如何計算cell-based實現的IC gate coun …
推噓0(0推 0噓 6→)留言6則，0人參與, 最新作者zxvc (眾生都是未來佛)時間15年前 (2010/07/17 10:27), 編輯資訊
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[恕刪]. ^^^^^^^^^^^^^^^^. 我個人是徧好它也是種面積，要用更嚴格的術語可以說是一個cell的. bounding box面積。. ^^^^^^^^^^. "我的"DC與ICC report_area都是面積，但單位是site。. 這張圖顯示DC(左)與ICC(右)的report_
(還有696個字)
#2
Re: [問題] 如何計算cell-based實現的IC gate coun …
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者ilovepachaya (我是好牛肉)時間15年前 (2010/07/17 01:17), 編輯資訊
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恕刪. site的部分指的是"每個單位格". 我們都知道standard cell都是擺在cell的row上，並且有等高不等寬的特性. 所以在technology file (.tf)會定義一個"單位格"有多大. 在technology file(.tf)叫做unit tile也可以叫她site.
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#1
Re: [問題] 如何計算cell-based實現的IC gate coun …
推噓0(0推 0噓 9→)留言9則，0人參與, 最新作者zxvc (眾生都是未來佛)時間15年前 (2010/07/15 22:31), 編輯資訊
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[恕刪]. [恕刪]. Design Compiler所report的area並不是以um^2為單位，而是site。. 所以ARM/TSMC 0.18um CBDK的2-inputs NAND的10是指sites。. 我曾經為了一個area不大(相對pad的數量)的design，. 在做layout
(還有1275個字)
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