Re: 請教DRAM讀出動作(2)

看板Electronics作者 ( 沈默...是真神 )時間16年前 (2009/09/19 09:45), 編輯推噓0(003)
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我想他說的是讀取的那一瞬間會不會消失 破壞式讀取資料確實會"暫時"消失 ※ 引述《deathcustom ()》之銘言: : ※ 引述《kurama1984 (斷顏殘臂)》之銘言: : : 關於如圖所示之動態隨機存取記憶元(DRAM cell)之敘述,何者錯誤? : : A猨寫入時電晶體導通 : : B獏讀取後儲存資料即消失 : : C獱當電源移除後,儲存資料即消失 : : D斅電容大小不影響讀取訊號 : : ans:D : : 再請問一次會不會消失~"~, : : 有點浪費版上資源問兩次 : : 電容大小如何影響讀取信號? : 簡單獎就是Sense Amplifier Reading Circuits的操作 : 對SRAM、DRAM都差不多 : 讀取完的時候都會把原來的資料重新寫回去 : 所以讀完資料不會消失 : 然而如果儲存資料的電容太小 : 則讀取時分到Cb上面的電壓變化會太小 : 讀取的時間跟這個變化的大小有關(Vout = V' exp(t/T) 這類的關係,詳細請看Smith) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 24.6.16.11

09/19 19:58, , 1F
好玄的講法,不是很懂
09/19 19:58, 1F

09/19 20:04, , 2F
你說的暫時消失好像是有這個東西,但我的書都沒寫清楚
09/19 20:04, 2F

09/19 20:06, , 3F
只說讀完感應器會為CS更新,這個時間點算資料消失是吧
09/19 20:06, 3F
文章代碼(AID): #1Aj3UdeB (Electronics)
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