Re: 請教DRAM讀出動作(2)
我想他說的是讀取的那一瞬間會不會消失
破壞式讀取資料確實會"暫時"消失
※ 引述《deathcustom ()》之銘言:
: ※ 引述《kurama1984 (斷顏殘臂)》之銘言:
: : 關於如圖所示之動態隨機存取記憶元(DRAM cell)之敘述,何者錯誤?
: : A猨寫入時電晶體導通
: : B獏讀取後儲存資料即消失
: : C獱當電源移除後,儲存資料即消失
: : D斅電容大小不影響讀取訊號
: : ans:D
: : 再請問一次會不會消失~"~,
: : 有點浪費版上資源問兩次
: : 電容大小如何影響讀取信號?
: 簡單獎就是Sense Amplifier Reading Circuits的操作
: 對SRAM、DRAM都差不多
: 讀取完的時候都會把原來的資料重新寫回去
: 所以讀完資料不會消失
: 然而如果儲存資料的電容太小
: 則讀取時分到Cb上面的電壓變化會太小
: 讀取的時間跟這個變化的大小有關(Vout = V' exp(t/T) 這類的關係,詳細請看Smith)
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 24.6.16.11
→
09/19 19:58, , 1F
09/19 19:58, 1F
→
09/19 20:04, , 2F
09/19 20:04, 2F
→
09/19 20:06, , 3F
09/19 20:06, 3F
討論串 (同標題文章)
本文引述了以下文章的的內容:
完整討論串 (本文為第 3 之 3 篇):