看板 [ Electronics ]
討論串請教DRAM讀出動作(2)
共 3 篇文章
內容預覽： 開啟 | 關閉 | 只限未讀
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁
#3
Re: 請教DRAM讀出動作(2)
推噓0(0推 0噓 3→)留言3則，0人參與, 最新作者TripleC ( 沈默...是真神 )時間16年前 (2009/09/19 09:45), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
我想他說的是讀取的那一瞬間會不會消失. 破壞式讀取資料確實會"暫時"消失. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 24.6.16.11.
#2
Re: 請教DRAM讀出動作(2)
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者deathcustom時間16年前 (2009/09/19 00:03), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
簡單獎就是Sense Amplifier Reading Circuits的操作. 對SRAM、DRAM都差不多. 讀取完的時候都會把原來的資料重新寫回去. 所以讀完資料不會消失. 然而如果儲存資料的電容太小. 則讀取時分到Cb上面的電壓變化會太小. 讀取的時間跟這個變化的大小有關(Vout = V
(還有171個字)
#1
請教DRAM讀出動作(2)
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者kurama1984 (斷顏殘臂)時間16年前 (2009/09/18 23:41), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
關於如圖所示之動態隨機存取記憶元（DRAM cell）之敘述，何者錯誤？. A猨寫入時電晶體導通. B獏讀取後儲存資料即消失. C獱當電源移除後，儲存資料即消失. D斅電容大小不影響讀取訊號. ans:D. 再請問一次會不會消失～"～,. 有點浪費版上資源問兩次. 電容大小如何影響讀取信號？. --
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁