Re: 請教DRAM讀出動作(2)
※ 引述《kurama1984 (斷顏殘臂)》之銘言：
: ※ 引述《kurama1984 (斷顏殘臂)》之銘言：
: : 請問ＤＲＡＭ讀取動作會和ＳＲＡＭ一樣,
: : 讀取後資料即消失嗎？
: 關於如圖所示之動態隨機存取記憶元（DRAM cell）之敘述，何者錯誤？
: A猨寫入時電晶體導通
: B獏讀取後儲存資料即消失
: C獱當電源移除後，儲存資料即消失
: D斅電容大小不影響讀取訊號
: ans:D
: 再請問一次會不會消失～"～,
: 有點浪費版上資源問兩次
: 電容大小如何影響讀取信號？
簡單獎就是Sense Amplifier Reading Circuits的操作
對SRAM、DRAM都差不多
讀取完的時候都會把原來的資料重新寫回去
所以讀完資料不會消失
然而如果儲存資料的電容太小
則讀取時分到Cb上面的電壓變化會太小
讀取的時間跟這個變化的大小有關(Vout = V' exp(t/T) 這類的關係，詳細請看Smith)
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為什麼那邊那個人那麼傷心呢? ││││││
因為他是北部人啊，吃的比我們還毒哩! 2.5ppm ˍ︵ │││ 還好我們
0.5ppm ◥ ◥ 2ppm ╱ ╱▏ ││ 不用吃…
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| | | ╱ ╱ ﹨
◥◢ ￣ （||） ω ╯ ㄦ
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